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  • 硅钼棒的选用和计算

    2021-01-14 硅钼棒的选用和计算

    1.表面负荷密度计算硅钼棒​表而负荷密度是指棒的发热部表而积在使用中承担的电功率。常用公式表示:W一一表面负荷密度W /cmW二、:/F天PYi—额定功率wF,一一发热部表面积cm而负荷密度的大小与棒的使用寿命长烦成反比,在灯’温1fJl"J条1I二,棒的表1负荷密度

  • 硅钼棒的标识方法

    2021-01-14 硅钼棒的标识方法

    1.直型硅钼棒直型硅钼棒是由发热部分和两端加粗冷端组成的一种电热元件,发热部分表面额定温度最高可达1800℃:,外形尺寸规格标记方法为:d/D/Le/Lu/g/f。

  • 硅碳棒温度波动度的要求

    2021-01-13 硅碳棒温度波动度的要求

    很多人认为,本硅碳棒​试验机的试验方法要求士2℃的波动度似乎没有什么必要,他们认为即使温度控制得再精确,等硅碳棒从炉膛内取出做完试验后,温度会降很多,实际测试结果,硅碳棒从炉膛内取出放在试验台上一分钟

  • 硅钼棒炉的系统主电路设计

    2021-01-13 硅钼棒炉的系统主电路设计

    研究了硅钼棒炉的原始温度控制系统,并开发了以智能温度控制器为核心,双闭环负反馈的温度控制系统。设计了主电路的过电压和过电流保护电路,并根据加热元件的材料特性给出了工艺建议。

  • 硅碳棒炉控温系统的选定及其操作

    2021-01-12 硅碳棒炉控温系统的选定及其操作

    对发热体的温度控制有很多种控制方式,但对硅碳棒炉来讲,使用导通截止控制方式和通电周期的控制方式(即比例型)是不合适的,不仅因为这两种控制方式波动度大,更主要的是这两种控制方式,在可控硅导通

  • 群强硅碳棒的特性

    2021-01-12 群强硅碳棒的特性

    硅碳棒​发热体大约在800℃以下是负温度系数,即电阻率随温吐升高而减小。在800 C以上,电阻率随着温度的升高电阻率略有升高属于正温度系数,但总的来讲在高温时的电阻率比冷态时的电阻率要小得多。

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