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2024-04-15 关于传统箱式硅碳棒电炉
对目前广泛使用的箱式硅碳棒电炉进行分析，指出其存在的缺陷，提出使用中应注意的题，并就改进方案提出了人的看法。箱式硅碳棒电炉广泛用于实验室和小件硅碳棒的生产。
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2024-04-13 各等级硅碳棒对应的底部晶花的要求
硅碳棒底部晶花判断在平磨后外观分类测量环节进行，等级硅碳棒的底部晶花要求如下。 1)经少子寿命判为H4，且籽晶100%保留的硅碳棒直接判定为小晶花畦棒底部任意一个晶粒面积要小于1 cm;硅碳棒底部晶粒面积小于0.5 cm的数量占总数90%以上，见图6-a)，或籽晶
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2024-04-11 三维还原炉内硅碳棒直流电加热模型
本文基于24对硅碳棒还原炉，建立三维还原炉内硅碳棒直流电加热模型。通过研究反应器中内、中、外环上硅碳棒半径和反应器壁发射率对硅碳棒内部温度分布的影响。
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2024-04-09 24对硅碳棒还原炉结构建立3D西门子还原炉模型
随着多晶硅价格的竞争，降低西门子还原炉能耗成为多晶硅生存的基本法则。而增大硅碳棒数量和降低反应器壁辐射率是降低能耗的主要方法。
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2024-04-06 硅碳棒崩边现象的具体原因及相应措施
单晶硅碳棒截断时，夹具起着稳定硅碳棒晃动的作用。正常情况下，只需把硅碳棒固定在夹具上且保持硅碳棒水平就可以;但是，夹具里面的轴丝随时间的推移，就会出现不断地磨损，还有轴里面的定位销也会受到不同程度的磨损，均导致一根轴上的两个夹具不同心。
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2024-04-04 硅碳棒的电阻和温度的关系
先确定内环控制对象模型的参数，通过对实验数据分析得出从控制的第2个阶段开始也就是加热炉温度为400℃时，硅碳棒的电阻和温度的关系通过实验可用式(2)来近似示:R=0.0219T+19.6368(2)由于加热系统对象模型在900℃以下低温和1300℃左右高温时变化很大。
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2024-04-02 验证硅碳棒回融融接工艺
无论是由于直径突变、单晶断棱还是提断等原因导致的硅碳棒不良，都会使成本大幅增加。在此情况下，根据车间生产实际总结出一套回融接棒工艺。具体工艺过程包括:回融稳温接棒三个阶段，各阶段具体工艺参数。
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2024-03-30 提断会导致整硅碳棒报废
用于切割生产硅芯的原料硅碳棒，一般采用CZ法生产。采用CZ法生产过程中，由于设备故障、人员操作等因素经常会产生局部不良导致提断处理，提断会导致整硅碳棒报废，损失较大，成本增加明显。
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2024-03-13 区熔硅碳棒的制备工艺
区熔硅碳棒制备难度非常大，要求原生多晶硅产品基磷电阻率大于5 000 iZ，基硼电阻率大于15 000SZcm,仅此两项性能指标就是非常大的挑战，具体参数见表1。
高品质硅碳棒生产厂家
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