-
2022-01-28 硅碳棒微米柱电子背散射衍射
在硅碳棒的生长过程中，由于Si基片与硅碳棒薄膜之间存在8%的热膨胀系数差异，使得在实验结束的降温过程当中，会在生长的硅碳棒薄膜中形成较大的热应力。
-
2022-01-25 硅碳棒微米柱周围有大量的无定形碳生成
利用EDS分别对两个微米柱进行分析，如表4-1所示。硅碳棒分析表明不论是以CH4还是C2H2为碳源生长的薄膜都只含Si, C和Ni三种元素。但表今1的EDS成份分析数据显示以CZH2作为反应气体生长出的微米柱C元素原子百分含量很高
-
2022-01-22 通过硅碳棒晶须的透射电子选区衍射分析
生长时间对硅碳棒晶须的影响生长时间也是影响硅碳棒晶须生长的重要因素。图3-15为不同时间生长出的硅碳棒晶须表面形貌图.实验中，将H2流量控制为500SiH4和CZHz作为反应气体，流量分别为2和4 scan;反应室总压控制为60 Tort，生长温度Et 11 SO0C.个牛长秦拌与前
-
2022-01-20 H2流量对硅碳棒的影响
明即使是在生长结束以后，硅碳棒金属Ni都没有完全耗尽，表明在整个生长过程中，始终有足量的催化剂。催化剂的多少，直接决定在Si基片上以VLS生长机制合成的是硅碳棒还是硅碳棒薄膜。其生长示意图，如图3-11所示。
-
2022-01-16 硅碳棒D和探测器支架E的角位置保持固定关系
在整个测量过程中，硅碳棒D和探测器支架E的角位置保持固定关系，当H转过e角时，E必须转过20角，即GJE=0.5，这样硅碳棒与计数器连动，常记为e2e事实上，连动关系非常重要，它确保了x射线在硅碳棒上的入射角和反射角始终相等。
-
-
2022-01-12 硅碳棒技术已经逐渐走向成熟
经过多年的发展，随着人们对硅碳棒技术研究的不断深入，硅碳棒技术已经逐渐走向成熟，目前，硅碳棒技术已经成为制备薄膜的重要手段之一，而为人们所广泛使用。
-
2022-01-10 硅碳棒单晶生长条件非常苛刻
但是由于硅碳棒单晶生长条件非常苛刻，使得单晶硅碳棒依然存在非常多的缺陷，例如:大角晶界，小角晶界，陨石坑，3C夹杂物，大的台阶集束以及大量的微管等等，缺陷的存在严重影响了外延层的质量。
-
-
2022-01-03 硅碳棒自组装生长机理及自组装生长控制研究
以金属Ni作为催化剂，SiH4和C2H2作为反应气体，以Si为基片在高温下合成硅碳棒晶须，研究了VLS生长机理，以及温度、气压、催化剂厚度等工艺条件对硅碳棒晶须生长的影响。
高品质硅碳棒生产厂家
专注研产销施为一体的综合性电热元件企业
全国服务热线
13869320298