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  • 硅碳棒的氧化称为钝性氧化或被动氧化

    2022-03-06 硅碳棒的氧化称为钝性氧化或被动氧化

    颗粒间结合状态的影响如下表3一2所显示,这两种235a0c重结品烧结的硅碳棒电热制钻其密度都是2.43沙m3,但是其电阻有较大的差异,A为0.8iB为3.6f。

  • 细颗粒粒径对硅碳棒坯体成型密度的影响

    2022-03-04 细颗粒粒径对硅碳棒坯体成型密度的影响

    细颗粒粒径对硅碳棒​坯体成型密度也有较大的影响(见图3-16)。从表中可见:在粗粉和中粉的粒径(800Eun, 100Nxri)和用量(65%, 10%)相同的条件下,用5 um细颗粒级配后的硅碳棒坯体成型密度最大

  • 塑化剂不同掺入量对最终硅碳棒致密度的影响

    2022-03-01 塑化剂不同掺入量对最终硅碳棒致密度的影响

    实验中选用自制的硅碳棒​作为研究对象,其发热部位尺寸为1 Omm X150mm测量其电阻随温度和保温时间的变化规律,试验温度选为1600℃,并在此温度下长时间保温。

  • 硅碳棒硬塑挤出成型工艺

    2022-02-25 硅碳棒硬塑挤出成型工艺

    实验中硅碳棒采用塑的是硬挤出成型工艺。硬塑挤出与一般的挤出成型(软塑挤出)相比,有如下区别:(1)原料含水率低,硬塑挤出中含水率处于12-15%,而软塑挤出一般为17-20%。

  • 采用重结晶工艺生产的硅碳棒

    2022-02-23 采用重结晶工艺生产的硅碳棒

    目前国内硅碳棒​生产厂家采用重结晶工艺生产的硅碳棒热端密度一般低于2.43g.cm,且存在着电阻离散性大、致密度低、使用温度低、使用寿命短等问题。

  • 硅碳棒夹头的改进

    2022-02-21 硅碳棒夹头的改进

    高温电炉在使用中常因不锈钢夹头与硅碳棒接触不良,导致局部发热,加大了电炉nh维修工作量。后改用i毫米厚的铝皮做夹头,但过一段时间后个别夹头胀大,也会导致发热。

  • 提高硅碳棒的表面平整度

    2022-02-18 提高硅碳棒的表面平整度

    采用“两步法”外延工艺,成功地将“VLS生长工艺”与“传统CVD工艺”结合,实现了6H-硅碳棒的同质外延生长。

  • 多孔硅碳棒的小孔尺寸和密度

    2022-02-16 多孔硅碳棒的小孔尺寸和密度

    多孔硅碳棒生长研究实验中,将温度控制为1100℃HZ流量为100sccmMTS流量保持为20scan生长时间为1小时,当到达生长温度后,通入MTS和场生长结束后的样品表面形貌如图6一所示。从6-2(a)中非常清晰地看到,在较为平整的薄膜表面形成了许多大小不一的小孔。

  • VLS机理生长硅碳棒的表面台阶结构

    2022-02-14 VLS机理生长硅碳棒的表面台阶结构

    为了更加清晰地反映出VLS机理生长硅碳棒​的表面台阶结构,我们进一步采用原子力显微镜观察了VLS自组装工艺生长硅碳棒同质外延薄膜,其结果如图5-7所示,从表面形貌可见:VLS自组装工艺生长硅碳棒同质外延薄膜呈现出表面条

  • 硅碳棒自组装生长机制及控制

    2022-02-12 硅碳棒自组装生长机制及控制

    对于硅碳棒而言,由于熔融状态下的硅碳棒非常难以得到,使得硅碳棒的质量,始终没有利用“提拉法”,从液态Si中生长出的单晶Si质量好.而在VLS生长机制中,由于有液相Ni-Si合金的加入,有利于提高硅碳棒薄膜的结晶质量。

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