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2022-03-06 硅碳棒的氧化称为钝性氧化或被动氧化
颗粒间结合状态的影响如下表3一2所显示，这两种235a0c重结品烧结的硅碳棒电热制钻其密度都是2.43沙m3，但是其电阻有较大的差异，A为0.8iB为3.6f。
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2022-03-04 细颗粒粒径对硅碳棒坯体成型密度的影响
细颗粒粒径对硅碳棒坯体成型密度也有较大的影响(见图3-16)。从表中可见:在粗粉和中粉的粒径(800Eun, 100Nxri)和用量(65%, 10%)相同的条件下，用5 um细颗粒级配后的硅碳棒坯体成型密度最大
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2022-03-01 塑化剂不同掺入量对最终硅碳棒致密度的影响
实验中选用自制的硅碳棒作为研究对象，其发热部位尺寸为1 Omm X150mm测量其电阻随温度和保温时间的变化规律，试验温度选为1600℃，并在此温度下长时间保温。
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2022-02-25 硅碳棒硬塑挤出成型工艺
实验中硅碳棒采用塑的是硬挤出成型工艺。硬塑挤出与一般的挤出成型(软塑挤出)相比，有如下区别:(1)原料含水率低，硬塑挤出中含水率处于12-15%，而软塑挤出一般为17-20%。
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2022-02-23 采用重结晶工艺生产的硅碳棒
目前国内硅碳棒生产厂家采用重结晶工艺生产的硅碳棒热端密度一般低于2.43g.cm，且存在着电阻离散性大、致密度低、使用温度低、使用寿命短等问题。
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2022-02-16 多孔硅碳棒的小孔尺寸和密度
多孔硅碳棒生长研究实验中，将温度控制为1100℃HZ流量为100sccmMTS流量保持为20scan生长时间为1小时，当到达生长温度后，通入MTS和场生长结束后的样品表面形貌如图6一所示。从6-2(a)中非常清晰地看到，在较为平整的薄膜表面形成了许多大小不一的小孔。
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2022-02-14 VLS机理生长硅碳棒的表面台阶结构
为了更加清晰地反映出VLS机理生长硅碳棒的表面台阶结构，我们进一步采用原子力显微镜观察了VLS自组装工艺生长硅碳棒同质外延薄膜，其结果如图5-7所示，从表面形貌可见:VLS自组装工艺生长硅碳棒同质外延薄膜呈现出表面条
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2022-02-12 硅碳棒自组装生长机制及控制
对于硅碳棒而言，由于熔融状态下的硅碳棒非常难以得到，使得硅碳棒的质量，始终没有利用“提拉法”，从液态Si中生长出的单晶Si质量好.而在VLS生长机制中，由于有液相Ni-Si合金的加入，有利于提高硅碳棒薄膜的结晶质量。
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