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  • 影响硅碳棒质量的主要因素分析和探讨

    2021-10-11 影响硅碳棒质量的主要因素分析和探讨

    当对硅碳棒在氮气中进行烧成时,温度从1450℃提高至1550℃时对其性能变化无显著的影响。因此,将烧成温度提高至1550℃是不适宜的。

  • 硅碳棒的开口气孔率及体积密度

    2021-10-09 硅碳棒的开口气孔率及体积密度

    为了确定氮气中氧杂质的影响,对硅碳棒试样在氧含量为2%至1:6%的氮气中于1450℃的烧成进行了研究。由图1可见,随着氮气中氧含量的提高,耐火材料中的N:含量显著下降。这说明含氮结合剂的合成条件有所

  • 硅碳棒常温抗折强度和低的显气孔率

    2021-10-08 硅碳棒常温抗折强度和低的显气孔率

    骨料的研究主要是解决最紧密堆积问题,一方面可以提高硅碳棒​的密度,另一方面降低显气孔率以阻止硅碳棒的进一步氧化,不同粒度组成与堆积密度的关系见表1,由表中可以看出,随着大颗粒的增加,堆积密度呈下降趋势、体积密度提高,但是考虑到硅碳棒的外观

  • 氮化硅结合硅碳棒制备工艺过程

    2021-10-07 氮化硅结合硅碳棒制备工艺过程

    随着硅碳棒产业的不断发展,其制备工艺也越来越复杂,性能更加综合化和优越化。在氮化硅结合硅碳棒制备工艺过程中,如何对影响产品质量的因素进行控制,继而确保最终产品的性能,对于生产企业实现质量控制目标是至关重要的。

  • 硅碳棒结合材料单位表面积的氧化增重量

    2021-09-30 硅碳棒结合材料单位表面积的氧化增重量

      图5,图6表明,随氧化时间的延长,硅碳棒结合材料单位表面积的氧化增重量逐渐增加,强度损失率逐渐增加,但到了氧化后期,增重量增加和强度损失率的增加速度逐步放慢。这主要是因为氧化进行到一定时间

  • 抛光压力对硅碳棒晶片抛光效果的影响

    2021-09-29 抛光压力对硅碳棒晶片抛光效果的影响

    小同抛光压力下硅碳棒晶片的MRR如图6所示,抛光后表面形貌如图7所示。根据图6可知,晶片的MRR随着抛光压力的增大而增大。当抛光压力分别为4 kg,8kg,10 kg时,MRR分别为64 nm/h, 80 nm/h,92 nm/h以及102 nm/h。

  • 采用反应烧结法制备Sialon结合硅碳棒材料

    2021-09-28 采用反应烧结法制备Sialon结合硅碳棒材料

    在配料中加入少童Yz03,研究其对材料显微结构、力学性能、抗氧化性和抗热震性的影响。发现添加Yz0,可明显改善Sialon结合硅碳棒​的杭氧化和热震能力,提高材料常温杭折、抗压强度,但叶1400℃下高温杭折强度有负面影响。

  • 探索紫外光辅助作用下硅碳棒CMP加工过程

    2021-09-27 探索紫外光辅助作用下硅碳棒CMP加工过程

    本研究将硅碳棒从化学作用和机械作用相平衡的角度出发,探索紫外光辅助作用下硅碳棒CMP加工过程的最佳加工参数。创新地利用电化学实验探测小同pH值Hz0:浓度、Fez浓度以及紫外光功率对碳化硅晶片表面氧化层生成速率的影响

  • 硅碳棒经冷热循环后其强度变化

    2021-09-26 硅碳棒经冷热循环后其强度变化

    键取代,硅碳棒从而形成-Sialon固溶体。从图2可见-Sialon仅存在于SipN-AIZO'AlN连线上。其分子式为Sib_ZA120ZN:一:(0<Z<4.2),即单相3'-Sialon应该是AIz03'AIN同时溶于Si5N;中的固溶体。因此3'-Sialon硅碳棒可以从Si3NAlzOAlN(或Si,Al,N2,AIz马)反应得到

  • 硅碳棒中应无“黑心”

    2021-09-25 硅碳棒中应无“黑心”

    碳化硅质硅碳棒近代一些炼铅、炼锌炉其关键部位主要采用镁铬质与碳化硅质硅碳棒。本文阐述碳化硅质耐火材料。碳化硅质硅碳棒由于化学稳定性好,具有耐高温、高温强度大、导热率高、抗热震性好、耐磨、抗冲刷、不被金属熔体润湿

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