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  • 硅碳棒崩边现象的具体原因及相应措施

    2024-04-06 硅碳棒崩边现象的具体原因及相应措施

    单晶硅碳棒​截断时,夹具起着稳定硅碳棒晃动的作用。正常情况下,只需把硅碳棒固定在夹具上且保持硅碳棒水平就可以;但是,夹具里面的轴丝随时间的推移,就会出现不断地磨损,还有轴里面的定位销也会受到不同程度的磨损,均导致一根轴上的两个夹具不同心。

  • 导致单晶圆硅碳棒发生崩边或平行度差的问题

    2024-04-05 导致单晶圆硅碳棒发生崩边或平行度差的问题

    单晶硅碳棒​在截断过程中,由于各种原因导致单晶圆硅碳棒发生崩边或平行度差的问题,严重影响了单晶圆硅碳棒的合格率。为了分析并解决该问题,探讨了单晶硅碳棒截断时发生崩边或平行度差的具体原因及应对措施。

  • 硅碳棒的电阻和温度的关系

    2024-04-04 硅碳棒的电阻和温度的关系

    先确定内环控制对象模型的参数,通过对实验数据分析得出从控制的第2个阶段开始也就是加热炉温度为400℃时,硅碳棒​的电阻和温度的关系通过实验可用式(2)来近似示:R=0.0219T+19.6368(2)由于加热系统对象模型在900℃以下低温和1300℃左右高温时变化很大。

  • 硅碳棒炉的特点和黏度测试的温控要求

    2024-04-03 硅碳棒炉的特点和黏度测试的温控要求

    针对硅碳棒​炉的特点和黏度测试的温控要求,本文中设计了一种电流+温度的双闭环模糊控制器电流环为控制内环,主要作用是克服硅碳棒炉因电阻变化带来的系统干扰,恒定加热电流,确保输出电流在安全的条件下以最大的功率给系统加热升温外环为温度控制环。

  • 验证硅碳棒回融融接工艺

    2024-04-02 验证硅碳棒回融融接工艺

    无论是由于直径突变、单晶断棱还是提断等原因导致的硅碳棒​不良,都会使成本大幅增加。在此情况下,根据车间生产实际总结出一套回融接棒工艺。具体工艺过程包括:回融稳温接棒三个阶段,各阶段具体工艺参数。

  • 硅碳棒可以分为单晶和多晶两种

    2024-04-01 硅碳棒可以分为单晶和多晶两种

    硅碳棒​可以分为单晶和多晶两种,单晶硅碳棒是指整个晶棒是一块原子排列整齐的单晶体,其表面光滑,有明显的棱线。多晶硅碳棒表面有明显的晶界,没有棱线。单晶硅碳棒与单晶硅碳棒没有本质区别,生产工艺也一样。而在生产多晶硅碳棒时,需要在放肩阶段,通过

  • 提断会导致整硅碳棒报废

    2024-03-30 提断会导致整硅碳棒报废

    用于切割生产硅芯的原料硅碳棒​,一般采用CZ法生产。采用CZ法生产过程中,由于设备故障、人员操作等因素经常会产生局部不良导致提断处理,提断会导致整硅碳棒报废,损失较大,成本增加明显。

  • 解决硅碳棒加工中的夹紧难题

    2024-03-20 解决硅碳棒加工中的夹紧难题

    介绍一种新型液压夹紧机构,解决硅碳棒加工中的夹紧难题。随着太阳能和光伏产业的不断发展,硅材料的使用越来越广泛,其中硅碳棒的加工也逐渐由原来的半自动化向全自动和数控化过渡。

  • 区熔硅碳棒力学性能

    2024-03-15 区熔硅碳棒力学性能

    硅芯是热源载体,由于电流的集肤效应,等直径硅碳棒表面的温度是最高的,控制合适的等直径硅碳棒表面温度可以提高多晶硅的沉积速率。

  • 改良U型硅碳棒制备工艺技术路线

    2024-03-14 改良U型硅碳棒制备工艺技术路线

    改良法工艺是U型硅碳棒制备的典型工艺,以氯化氢(HC1)气体和冶金级硅为原料,在280-400℃下生成三氯氢硅(TCS)。

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