-
2022-05-05 硅碳棒炉温控制精度要求
如果对硅碳棒炉子保温时每周期送电时间没有测定过,则旋钮W;的调节要在硅碳棒炉子刚刚保温时断、送电的几个周期内进行。首先找到“报警器”响与不响的临界点,然后把旋钮指示值比临界点提高1一2秒。
-
2022-05-03 硅碳棒质匣钵防护措施
我们主要从事硅碳棒耐火材料检测工作,因此每月都对各种耐火浇注料、可塑料进行热处理和加热永久线变化试验。对于不含酸(碱)的浇注料、可塑料其高温下对硅碳棒的侵蚀非常微弱,虽有出现氧化现象,但也不至于太多影响硅碳棒的使用寿命。
-
2022-05-02 硅碳棒在高温酸性气氛下的侵蚀原理
本文研究和分析了硅碳棒在高温酸性气氛下的侵蚀原理,并提出了减少硅碳棒电热元件高温酸性气氛下被侵蚀的防护措施。碳化硅发热元件(以硅碳棒为例)具有耐高温、抗氧化、升温快、寿命长
-
2022-04-30 烧成的好坏将直接影响硅碳棒最终的性能
烧成是制备硅碳棒电热元件过程中一个最为关键的工艺,烧成的好坏将直接影响硅碳棒最终的一系列性能。本文采用反应烧结工艺,将烧成分成一次高温烧成和二次高温烧成,采用不同配比的保温料,不同的供电时间进行烧成。
-
2022-04-29 硅碳棒发热元件氧化表面和断口形貌分析
对硅碳棒电热元件氧化表面和断口形貌分析表明(见图6),其在16000C氧化时,电热元件表面主要生成气相产物而挥发,此时主要的氧化过程为:SiC<s)+唤(g)一Si0(g)+CO(g>而断口处除了上述伴有气相产物生成反应外。
-
2022-04-28 分析国产硅碳棒的显微结构
硅碳棒的显微结构用MEF3型光学显微镜进行观察,高温氧化失效表面形貌观察在S2700型扫描电镜上进行,并利用扫描电镜配置的EDAXDX-4型电子能谱仪分析氧化产物的成分。试验结果及分析国产硅碳棒的显微结构国产硅碳棒的显微结构见图2。
-
2022-04-27 硅碳棒生长的温场要求
硅碳棒采用SDTQ6001型差热分析仪器,以100 mL/min的速率通人N2做保护气氛,升温到500℃后,以10℃/min的升温速率加热到1150 ℃,稳定2 min,再以10 ℃/min的降温速率冷却到500℃,测试曲线如图1所示。
-
2022-04-26 设计并制作硅碳棒加热单晶生长炉
硅碳棒经济分析:成本:(不同材质),镀膜:元;硅碳棒3一5元,耐温管2一10元,1一5元;安装件2工时1元,综合成本10-2 5元/支,出厂价30-75元/支,毛利率300%。