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  • 硅碳棒质匣钵防护措施

    2022-05-03 硅碳棒质匣钵防护措施

    我们主要从事硅碳棒耐火材料检测工作,因此每月都对各种耐火浇注料、可塑料进行热处理和加热永久线变化试验。对于不含酸(碱)的浇注料、可塑料其高温下对硅碳棒的侵蚀非常微弱,虽有出现氧化现象,但也不至于太多影响硅碳棒的使用寿命。

  • 硅碳棒在高温酸性气氛下的侵蚀原理

    2022-05-02 硅碳棒在高温酸性气氛下的侵蚀原理

    本文研究和分析了硅碳棒​在高温酸性气氛下的侵蚀原理,并提出了减少硅碳棒电热元件高温酸性气氛下被侵蚀的防护措施。碳化硅发热元件(以硅碳棒为例)具有耐高温、抗氧化、升温快、寿命长

  • 烧成温度对硅碳棒性能的影响

    2022-05-01 烧成温度对硅碳棒性能的影响

    素烧温度对硅碳棒​的影响素烧过程按其各阶段的性质划分为三个不同的阶段。即结合剂软化及挥发物大量排出阶段、结合剂的焦化阶段、冷却阶段。

  • 烧成的好坏将直接影响硅碳棒最终的性能

    2022-04-30 烧成的好坏将直接影响硅碳棒最终的性能

    烧成是制备硅碳棒电热元件过程中一个最为关键的工艺,烧成的好坏将直接影响硅碳棒最终的一系列性能。本文采用反应烧结工艺,将烧成分成一次高温烧成和二次高温烧成,采用不同配比的保温料,不同的供电时间进行烧成。

  • 硅碳棒发热元件氧化表面和断口形貌分析

    2022-04-29 硅碳棒发热元件氧化表面和断口形貌分析

    对硅碳棒​电热元件氧化表面和断口形貌分析表明(见图6),其在16000C氧化时,电热元件表面主要生成气相产物而挥发,此时主要的氧化过程为:SiC<s)+唤(g)一Si0(g)+CO(g>而断口处除了上述伴有气相产物生成反应外。

  • 分析国产硅碳棒的显微结构

    2022-04-28 分析国产硅碳棒的显微结构

    硅碳棒​的显微结构用MEF3型光学显微镜进行观察,高温氧化失效表面形貌观察在S2700型扫描电镜上进行,并利用扫描电镜配置的EDAXDX-4型电子能谱仪分析氧化产物的成分。试验结果及分析国产硅碳棒的显微结构国产硅碳棒的显微结构见图2。

  • 硅碳棒生长的温场要求

    2022-04-27 硅碳棒生长的温场要求

    硅碳棒采用SDTQ6001型差热分析仪器,以100 mL/min的速率通人N2做保护气氛,升温到500℃后,以10℃/min的升温速率加热到1150 ℃,稳定2 min,再以10 ℃/min的降温速率冷却到500℃,测试曲线如图1所示。

  • 设计并制作硅碳棒加热单晶生长炉

    2022-04-26 设计并制作硅碳棒加热单晶生长炉

    硅碳棒经济分析:成本:(不同材质),镀膜:元;硅碳棒3一5元,耐温管2一10元,1一5元;安装件2工时1元,综合成本10-2 5元/支,出厂价30-75元/支,毛利率300%。

  • 在同一炉中新旧硅碳棒可混合使用

    2022-04-25 在同一炉中新旧硅碳棒可混合使用

    在1400-1700℃的温度段,通常选用硅碳棒​加热元件。硅碳棒加热元件是用粉末冶金法挤压、烧结而成,冷端与热端是通过焊接连接起来的,冷端较粗,供引出用,热端较细,电阻较大,供发热用,常用的有6 mm和9 mm两种。

  • 硅碳棒的控制方式和应用注意点

    2022-04-24 硅碳棒的控制方式和应用注意点

    通常用过零或移相控制方式。硅碳棒电阻率较大,设计时合理设计接法,尽量减小主控电流,降低成本。

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