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  • 硅碳棒技术已经逐渐走向成熟

    2022-01-12 硅碳棒技术已经逐渐走向成熟

    经过多年的发展,随着人们对硅碳棒技术研究的不断深入,硅碳棒技术已经逐渐走向成熟,目前,硅碳棒技术已经成为制备薄膜的重要手段之一,而为人们所广泛使用。

  • 流量等反应条件对多孔硅碳棒薄膜生长的影响

    2022-01-11 流量等反应条件对多孔硅碳棒薄膜生长的影响

    开展了硅碳棒薄膜的vl,s自组装外延生长研究生长硅碳棒微米柱的研究中发现,在高温下,大面积液滴有可能会在基片表面运动,从而导致硅碳棒微米柱的横向生长,形成了大面积的硅碳棒薄膜。

  • 硅碳棒单晶生长条件非常苛刻

    2022-01-10 硅碳棒单晶生长条件非常苛刻

    但是由于硅碳棒​单晶生长条件非常苛刻,使得单晶硅碳棒依然存在非常多的缺陷,例如:大角晶界,小角晶界,陨石坑,3C夹杂物,大的台阶集束以及大量的微管等等,缺陷的存在严重影响了外延层的质量。

  • 硅碳棒薄膜的同质外延生长

    2022-01-09 硅碳棒薄膜的同质外延生长

    硅碳棒同质外延一般是指在硅碳棒基片上外延生长出与基片结构取向一致的硅碳棒薄膜。在硅碳棒基片上,由于众多缺陷的存在,严重地影响了硅碳棒材料的电学性质。

  • 硅碳棒薄膜的异质外延生长

    2022-01-05 硅碳棒薄膜的异质外延生长

    硅碳棒​单晶基片不仅制备复杂,同时由于表面许多缺陷的存在,严重地影响了硅碳棒材料的电学性质。因此,硅碳棒器件很难直接制作在硅碳棒基片上。

  • 制备硅碳棒的技术也不断的发展

    2022-01-04 制备硅碳棒的技术也不断的发展

    随着人们对硅碳棒​材料认识的不断加深,制备硅碳棒单晶的技术也不断的发展。大多数半导体材料的单晶都能从熔体或者溶液中生长,例如,利用提拉法,可以得到半径很大,质量很高的si单晶。

  • 硅碳棒自组装生长机理及自组装生长控制研究

    2022-01-03 硅碳棒自组装生长机理及自组装生长控制研究

    以金属Ni作为催化剂,SiH4和C2H2作为反应气体,以Si为基片在高温下合成硅碳棒​晶须,研究了VLS生长机理,以及温度、气压、催化剂厚度等工艺条件对硅碳棒晶须生长的影响。

  • 天然的硅碳棒晶体在自然界中几乎不存在

    2022-01-01 天然的硅碳棒晶体在自然界中几乎不存在

    硅碳棒​是第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs,InP,GaP等)之后发展起来的第三代宽禁带半导体材料。

  • 硅碳棒的导热系数比其他耐火材料要大

    2021-12-31 硅碳棒的导热系数比其他耐火材料要大

    在以上诸多问题存在的情况下,人们开始使用新的电加热部件—硅碳棒。其优点如下:  1、抗热震性能十分优越:硅碳棒是在高温下制成的。其平均热膨胀系数在25一1400℃范围内大约为4.4x10-/

  • 碳化硅硅碳棒在尾气处理设备中的具体应用

    2021-12-30 碳化硅硅碳棒在尾气处理设备中的具体应用

    硅碳棒电加热式尾气处理原理在微化学工艺中会用到两大类工业超纯气体,其一为大宗气体如氢气、氧气、氢气、氮气、氦气。其二为特气如硅烷、磷烷、砷烷、氨气等。根据相关环境标准,有些大宗气体是可以直接排放在大气中的。

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