采用表1中烧结温度曲线D的升温方式，对第九、十温区进行研究，其它温区温度设定值不变〔所采用产品为同批生产的同种产品)，把实验分成两组，一组采用硅碳棒双温区烧结，一组采用硅碳棒单温区烧结，两组实验中其它烧结条件不变，实验结果如表名。

       从表中可以看出，采用硅碳棒单温区烧结后，所得产品磁性能优于采用硅碳棒双温区烧结所得产品磁性能。大量实验结果证明。对第九、十温区烧结温度稍作调整，形成硅碳棒单温区烧结，所得产品。值明显高于经硅碳棒双温区烧结后所得产品的值。

       采用硅碳棒双温区烧结，较之硅碳棒单温区烧结，相当于增加了保温时间，促使固相反应完全。使产品烧结密度增高、从而导致B,值增高但同时晶粒增大，必然带来产品H。下降。对于一条给定的窑体，其温区间距设置是一定的，硅碳棒的分布也是给定的，有人提出可以通过调节电窑进料速度来解决B和FI。这对共生的矛盾，但进料速度若过快，却难以解决由此而导致的产品烧结合格率和质量下降这两大问题。在硅碳棒双温区烧结前提下降低产品的烧结温度。虽然可以适当地提高产品H值，但同时也会下降。

       采用硅碳棒单温区烧结，能够适当地缩短产品在高温烧结区的保温时间，从而达到提高II。的目的同时，若适当地提高烧结温度。产品的B，也会提高。只要把硅碳棒单温区烧结的高温和次高温调节到最佳状态，再辅以恰当的进料速度，我们就可以最大限度地获得材料的最佳磁性能，获得高B‘和高H。产品，完全成为可能。而且还不会影响产品的产量和质量，曾采用硅碳棒单温区烧结方式，用该电窑生产出Y3pBH以上各牌号产品。http://www.zbqunqiang.cn/