高品质硅碳棒生产厂家
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同质量产品追求价格优势。
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反应室气压也是影响硅碳棒微米柱生长的重要因素。实验中，反应室温度为1350 ℃，反应时间仍为1小时，将SiH4和CH4流量分别为3 scan和1 3 sccm,反应室气压分J为10图4-16为
生长后的硅碳棒基片表面形貌如图4-3(a)所示。与图4-1比较发现，生长前后的硅碳棒基片表面形貌差异很大.在生长后的硅碳棒基片表面上，已经完全看不见圆孔的存在，取而代之
图3-13是不同温度下制备的硅碳棒晶须的扫描电子显微镜(SEM)照片.在生长过程中，HZ流量保持为SOOsccm-CZHZ和SiH4的流量分别是2.Ssccm和Ssccm.生长时间为20分钟，温度为105
利用EDS分别对两个微米柱进行分析，如表4-1所示。硅碳棒分析表明不论是以CH4还是C2H2为碳源生长的薄膜都只含Si, C和Ni三种元素。但表今1的EDS成份分析数据显示以CZH2作为
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生长时间对硅碳棒晶须的影响生长时间也是影响硅碳棒晶须生长的重要因素。图3-15为不同时间生长出的硅碳棒晶须表面形貌图.实验中，将H2流量控制为500SiH4和CZHz作为反应气体
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