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2024-03-12 硅碳棒要满足各项性能指标要求
区熔多晶硅产品纯度要达到13N以上,同时硅碳棒要满足各项性能指标要求。由于研制周期长、制备难度大,国外工艺技术完全封锁,而国内多晶硅产业起步较晚。
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2024-03-06 全自动硅碳棒滚圆开槽一体机的功能及加工精度
滚圆开槽一体机可用来磨削加工长度在80 mm-800 mm范围内的6",8”和12”半导体硅碳棒的外圆面,对硅碳棒进行晶向定位并根据硅碳棒尺寸加工OF面(Orientation Face)或开V槽,为下道切片工序做准备。
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2024-03-04 硅碳棒电流一温度模型建立
首先以恒温阶段硅碳棒为研究对象,对硅碳棒电流-温度环节进行建模。假设整个沉积反应过程中,硅碳棒粗细均匀且各处温度都一样,可以根据焦耳定律、能量定律,单位时间内硅碳棒交流电发热产生的热量减去。
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2024-02-25 硅碳棒反应器壁发射率的影响
外环硅碳棒内部径向电流密度分布。当硅碳棒半径达到7 cm时,在相同的反应器壁发射率条件下,由于外环硅碳棒表面辐射热损失大,需提供的焦耳热增多,硅碳棒轴向单位长度电压梯度增大,从而通过硅碳棒内部的电流增大,因此位于外环硅碳棒内部电流密度要大于位于