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  • 改良U型硅碳棒制备工艺技术路线

    2024-03-14 改良U型硅碳棒制备工艺技术路线

    改良法工艺是U型硅碳棒制备的典型工艺,以氯化氢(HC1)气体和冶金级硅为原料,在280-400℃下生成三氯氢硅(TCS)。

  • 硅碳棒要满足各项性能指标要求

    2024-03-12 硅碳棒要满足各项性能指标要求

    区熔多晶硅产品纯度要达到13N以上,同时硅碳棒​要满足各项性能指标要求。由于研制周期长、制备难度大,国外工艺技术完全封锁,而国内多晶硅产业起步较晚。

  • 探针检测组件用于测量硅碳棒的直径尺寸

    2024-03-09 探针检测组件用于测量硅碳棒的直径尺寸

    在其中一套粗磨组件的进给基座上安装有一套探针检测组件,探针检测组件用于测量硅碳棒​的直径尺寸。

  • 全自动硅碳棒滚圆开槽一体机的功能及加工精度

    2024-03-06 全自动硅碳棒滚圆开槽一体机的功能及加工精度

    滚圆开槽一体机可用来磨削加工长度在80 mm-800 mm范围内的6",8”和12”半导体硅碳棒的外圆面,对硅碳棒进行晶向定位并根据硅碳棒尺寸加工OF面(Orientation Face)或开V槽,为下道切片工序做准备。

  • 硅碳棒电流一温度模型建立

    2024-03-04 硅碳棒电流一温度模型建立

    首先以恒温阶段硅碳棒​为研究对象,对硅碳棒电流-温度环节进行建模。假设整个沉积反应过程中,硅碳棒粗细均匀且各处温度都一样,可以根据焦耳定律、能量定律,单位时间内硅碳棒交流电发热产生的热量减去。

  • 硅碳棒反应器壁发射率的影响

    2024-02-25 硅碳棒反应器壁发射率的影响

    外环硅碳棒内部径向电流密度分布。当硅碳棒半径达到7 cm时,在相同的反应器壁发射率条件下,由于外环硅碳棒表面辐射热损失大,需提供的焦耳热增多,硅碳棒轴向单位长度电压梯度增大,从而通过硅碳棒内部的电流增大,因此位于外环硅碳棒内部电流密度要大于位于

  • 硅碳棒内部温度及电流密度分布进行详细分析

    2024-02-22 硅碳棒内部温度及电流密度分布进行详细分析

    考虑西门子反应器中对流、辐射以及化学反应热三种热传递形式,建立了硅碳棒​的二维轴对称热传递模型。

  • 在生产中使用等径型硅碳棒的效果

    2024-02-19 在生产中使用等径型硅碳棒的效果

    从硅碳棒​的理化性能、选用原则、安装方法等方面介绍了硅碳捧的使用技术简介了在生产中使用等径型硅碳棒的效果。

  • 硅碳棒的选用和计算

    2024-02-02 硅碳棒的选用和计算

    硅碳棒​表面负荷密度是指棒的发热部表面积在使用中承担的电功率,常用式(1)表示:W=Pe/Ff(1)式中:W为表面负荷密度,W/CmZ; Pe为额定功率,WiFr为发热部表面积,cmz。

  • 硅碳棒生产工艺

    2024-01-30 硅碳棒生产工艺

    硅碳棒​生产工艺简图见图素烧竺丝毛坯烧成成品发运巨产工艺简图结合剂用量要适当,用量大,硅碳棒体气孔率大易变形,影响产品寿命;用量小,成型困难,易造成素坯起层和断棒。

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