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  • 用热电性能测试仪测试硅碳棒室温下的导电特性

    2021-10-18 用热电性能测试仪测试硅碳棒室温下的导电特性

    利用自制的硅碳棒​加热单晶生长炉,采用改进的增涡下降法,在最高温度900 ℃ ,堵涡相对下降速度约为1.7cm/h条件下,生长出直径约为护0~的纯镁单晶。

  • 硅碳棒星形连接法

    2021-10-16 硅碳棒星形连接法

    硅碳棒是以碳化硅为主要原料的非金属电热元件,具有耐高温、抗氧化、高温下不变形以及单位面积负荷大等优点,因而被广泛用作铝及其合金熔炼炉与保温炉的电热元件.

  • 硅酸盐结合硅碳棒更好的耐侵蚀性能

    2021-10-15 硅酸盐结合硅碳棒更好的耐侵蚀性能

    在硅酸盐结合硅碳棒​材料的结合基料内所含的Si0 z与其物质接触时容易形成低熔点的化合物,易被熔渣侵蚀,因而这类硅碳棒的耐化学性能较差。

  • 高强度的温度下使用硅碳棒

    2021-10-14 高强度的温度下使用硅碳棒

    自结合硅碳棒通常又称直接结合或反应结合硅碳棒,它是以a一SiC颗粒、金属硅粉和炭粉配料经压制成型,在还原气氛中烧成而制得的。在烧成过程中,金属硅粉与炭粉反应形成硅碳棒微晶直接结合基料。自结合

  • 氮化硅作为充填料充填在硅碳棒颗粒的间隙

    2021-10-13 氮化硅作为充填料充填在硅碳棒颗粒的间隙

    是在配料中加人金属硅细粉,压制成型后在氮气气氛中于1400℃焙烧经氮化反应而制成的,因而通常又称反应烧结硅碳棒​。在结构上,氮化硅结合硅碳棒制品由。

  • 夹头速度对硅碳棒的表面质量有较大影响

    2021-10-12 夹头速度对硅碳棒的表面质量有较大影响

    硅碳棒精密锻造结果列于表1表中的锻造深度是按下式计算的:侧2 h2sinasin (5一15)。式中E为锻透深度、mm△h为道次压入量,硅碳棒mrna为锤头倾角、度本试验选择的道次压人量为2.5-,5n1rn,最大锻透深度为8.8mm由表1看到

  • 影响硅碳棒质量的主要因素分析和探讨

    2021-10-11 影响硅碳棒质量的主要因素分析和探讨

    当对硅碳棒在氮气中进行烧成时,温度从1450℃提高至1550℃时对其性能变化无显著的影响。因此,将烧成温度提高至1550℃是不适宜的。

  • 硅碳棒的开口气孔率及体积密度

    2021-10-09 硅碳棒的开口气孔率及体积密度

    为了确定氮气中氧杂质的影响,对硅碳棒试样在氧含量为2%至1:6%的氮气中于1450℃的烧成进行了研究。由图1可见,随着氮气中氧含量的提高,耐火材料中的N:含量显著下降。这说明含氮结合剂的合成条件有所

  • 硅碳棒常温抗折强度和低的显气孔率

    2021-10-08 硅碳棒常温抗折强度和低的显气孔率

    骨料的研究主要是解决最紧密堆积问题,一方面可以提高硅碳棒​的密度,另一方面降低显气孔率以阻止硅碳棒的进一步氧化,不同粒度组成与堆积密度的关系见表1,由表中可以看出,随着大颗粒的增加,堆积密度呈下降趋势、体积密度提高,但是考虑到硅碳棒的外观

  • 氮化硅结合硅碳棒制备工艺过程

    2021-10-07 氮化硅结合硅碳棒制备工艺过程

    随着硅碳棒产业的不断发展,其制备工艺也越来越复杂,性能更加综合化和优越化。在氮化硅结合硅碳棒制备工艺过程中,如何对影响产品质量的因素进行控制,继而确保最终产品的性能,对于生产企业实现质量控制目标是至关重要的。

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