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2024-03-13 区熔硅碳棒的制备工艺
区熔硅碳棒制备难度非常大,要求原生多晶硅产品基磷电阻率大于5 000 iZ,基硼电阻率大于15 000SZcm,仅此两项性能指标就是非常大的挑战,具体参数见表1。
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2024-03-12 硅碳棒要满足各项性能指标要求
区熔多晶硅产品纯度要达到13N以上,同时硅碳棒要满足各项性能指标要求。由于研制周期长、制备难度大,国外工艺技术完全封锁,而国内多晶硅产业起步较晚。
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2024-03-10 全自动硅碳棒滚圆开槽一体机工作过程及优势
该硅碳棒滚圆开槽一体机的工作过程如下:上下料机器人抓取半导体硅碳棒送至硅碳棒夹持区域,由固定夹头和滑动夹头夹紧硅碳棒,固定夹头和滑动夹头上的旋转电机转动硅碳棒,上下料机器人探针检测硅碳棒与夹头轴线的重合度。
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2024-03-06 全自动硅碳棒滚圆开槽一体机的功能及加工精度
滚圆开槽一体机可用来磨削加工长度在80 mm-800 mm范围内的6",8”和12”半导体硅碳棒的外圆面,对硅碳棒进行晶向定位并根据硅碳棒尺寸加工OF面(Orientation Face)或开V槽,为下道切片工序做准备。
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2024-03-05 硅碳棒表面温度和电气结构的问题
针对硅碳棒表面温度和电气结构的问题,本文提出了一种改进无模型自适应控制方法;建立了硅碳棒表面温度与电流和热电源的双闭环控制系统数学模型;利用误差变化率与控制变化率为性能指标,用在等价数据点处等价线性化。
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2024-03-04 硅碳棒电流一温度模型建立
首先以恒温阶段硅碳棒为研究对象,对硅碳棒电流-温度环节进行建模。假设整个沉积反应过程中,硅碳棒粗细均匀且各处温度都一样,可以根据焦耳定律、能量定律,单位时间内硅碳棒交流电发热产生的热量减去。