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2026-11-10 单相硅碳棒负载的电压U和电流I变化
根据实际情况，18对硅碳棒还原炉的多晶硅收率(对进料SiHCI.j)基本在10%左右，按多晶硅恒定生长速率的进料曲线FTC.s-23.109"Do氢气摩尔配比按4.0计。
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2026-11-08 减少硅碳棒底部热损失和使反应物充分反应
而内部的气体还停留在硅碳棒附近，导致硅沉积不均匀。而装有内接管的炉体下段横截面的温度分布更为均匀，这是因为内接管对炉内气体有分散排出的作用，因此未产生局部温差过大的现象。
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2026-11-05 原生硅碳棒切割制备硅芯存在的问题
在还原炉内硅芯既是硅沉积的载体，也是还原炉的热源。随着硅碳棒生产工艺升级以及生产规模的扩大，使用线切割机切割的方硅芯已逐步替代了区熔法拉制的圆硅芯。
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2026-11-03 还原炉两种硅碳棒布棒方式物理模型(三环排布、四环排布)
结合实际生产工艺参数，建立42对棒还原炉两种硅碳棒布棒方式物理模型(三环排布、四环排布)，并对还原炉物理模型进行简化。根据前人研究，为使进人还原炉的气体能快速均匀地分布，两种硅碳棒排布方式采用进气口与硅碳棒交叉方式进行排布。
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2026-11-02 硅碳棒直径在线自动检测系统
针对传统多晶硅还原炉硅碳棒生长检测依赖人工观察与经验估计所存在的误差大、稳定性差等问题，本文开发了一套硅碳棒直径在线自动检测系统，有效解决了上述弊端，为多晶硅生产过程的精准控制提供了数据支撑与技术参考。
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2026-11-01 硅碳棒直径及生长速率计算
以12对硅碳棒还原炉为研究对象。检测前需调整摄像头与观察视镜的距离，确保两硅碳棒间距完整呈现在图像中，以便测量各生长阶段的间距，避免漏测情况发生。
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