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  • 反应室气压对硅碳棒微米柱生长的影响

    2022-01-26 反应室气压对硅碳棒微米柱生长的影响

    反应室气压也是影响硅碳棒​微米柱生长的重要因素。实验中,反应室温度为1350 ℃,反应时间仍为1小时,将SiH4和CH4流量分别为3 scan和1 3 sccm,反应室气压分J为10图4-16为不同反应室气压生长出的硅碳棒微米柱断面的SEM图片。

  • 硅碳棒微米柱周围有大量的无定形碳生成

    2022-01-25 硅碳棒微米柱周围有大量的无定形碳生成

    利用EDS分别对两个微米柱进行分析,如表4-1所示。硅碳棒​分析表明不论是以CH4还是C2H2为碳源生长的薄膜都只含Si, C和Ni三种元素。但表今1的EDS成份分析数据显示以CZH2作为反应气体生长出的微米柱C元素原子百分含量很高

  • 单个硅碳棒微米柱的断面形貌

    2022-01-23 单个硅碳棒微米柱的断面形貌

    生长后的硅碳棒​基片表面形貌如图4-3(a)所示。与图4-1比较发现,生长前后的硅碳棒基片表面形貌差异很大.在生长后的硅碳棒基片表面上,已经完全看不见圆孔的存在,取而代之的是条纹状薄膜的出现。

  • 通过硅碳棒晶须的透射电子选区衍射分析

    2022-01-22 通过硅碳棒晶须的透射电子选区衍射分析

    生长时间对硅碳棒晶须的影响生长时间也是影响硅碳棒晶须生长的重要因素。图3-15为不同时间生长出的硅碳棒晶须表面形貌图.实验中,将H2流量控制为500SiH4和CZHz作为反应气体,流量分别为2和4 scan;反应室总压控制为60 Tort,生长温度Et 11 SO0C.个牛长秦拌与前

  • 生长温度对硅碳棒晶须的影响

    2022-01-21 生长温度对硅碳棒晶须的影响

    图3-13是不同温度下制备的硅碳棒​晶须的扫描电子显微镜(SEM)照片.在生长过程中,HZ流量保持为SOOsccm-CZHZ和SiH4的流量分别是2.Ssccm和Ssccm.生长时间为20分钟,温度为1050 ℃-1350 ℃,反应室气压控制为Torr

  • H2流量对硅碳棒的影响

    2022-01-20 H2流量对硅碳棒的影响

    明即使是在生长结束以后,硅碳棒金属Ni都没有完全耗尽,表明在整个生长过程中,始终有足量的催化剂。催化剂的多少,直接决定在Si基片上以VLS生长机制合成的是硅碳棒还是硅碳棒薄膜。其生长示意图,如图3-11所示。

  • 硅碳棒的测试条件要求比较苛刻

    2022-01-19 硅碳棒的测试条件要求比较苛刻

    上世纪人们在使用SEM分析硅碳棒时,发现了背散射电子衍射现象。由于衍射花样与硅碳棒的晶体结构有关,便利用这些衍射花样研究材料的结构。

  • 硅碳棒D和探测器支架E的角位置保持固定关系

    2022-01-16 硅碳棒D和探测器支架E的角位置保持固定关系

    在整个测量过程中,硅碳棒D和探测器支架E的角位置保持固定关系,当H转过e角时,E必须转过20角,即GJE=0.5,这样硅碳棒与计数器连动,常记为e2e事实上,连动关系非常重要,它确保了x射线在硅碳棒上的入射角和反射角始终相等。

  • 汇聚电子束轰击硅碳棒表面

    2022-01-15 汇聚电子束轰击硅碳棒表面

    事实上,汇聚电子束轰击硅碳棒表面时,与硅碳棒表面的物质发生作用,有七种信息产生:背散射电子、二次电子、荧光、特征X射线、俄歇电子等,如图2-6所示。

  • 沉积在硅碳棒基片上形成金属Ni薄膜

    2022-01-14 沉积在硅碳棒基片上形成金属Ni薄膜

    在利用硅碳棒晶须研究VLS生长机理的过程中,我们选用单晶硅碳棒基片作为衬底,金属Ni作为催化剂,合成硅碳棒晶须。

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