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  • 根据规范要求校准硅碳棒电阻炉测量数据

    2025-08-16 根据规范要求校准硅碳棒电阻炉测量数据

    按图所示连接传感器、记录仪和硅碳棒​电阻炉,记录仪每通道传感器要安装在支架相应的位置上;确定测量仪所显示的示值与炉内所支架连接测量位置的一致性,冷炉时炉内温度场应大致均匀,如有异常,应及时查找原因排除故障,使记录仪每通道显示正常后再开始测量

  • 箱式硅碳棒电阻炉的基本工作原理

    2025-08-15 箱式硅碳棒电阻炉的基本工作原理

    目前,我国生产的箱式硅碳棒​电阻炉80%的主要由结构及工作原理如图1所示,主要由采用耐火材料加工的炉体、炉膛、加热元件、控制器等组成,通过热电偶测定炉体工作区域的炉温,由测量反馈系统控制加热电流使之工作区域的炉温达到要求。

  • 在低载荷状态下还需考虑硅碳棒的内部结构

    2025-08-14 在低载荷状态下还需考虑硅碳棒的内部结构

    磨削力与磨屑厚度变化趋势相同,两者均随进给速度和磨削深度的增大而增大,随磨削速度的增大而减小,且硅碳棒​磨削损伤与磨屑厚度以及磨削力呈正相关。

  • 硅碳棒微观结构在磨削过程中会对裂纹损伤产生影响

    2025-08-13 硅碳棒微观结构在磨削过程中会对裂纹损伤产生影响

    为探究磨削过程中硅碳棒​的损伤机制,首先使用单颗粒划擦实验,验证硅碳棒微观结构的力学性能差异,并结合有限元仿真进一步揭示材料内部损伤形式;其次通过磨削实验分析不同磨削工艺参数下磨削损伤(表面损伤以及亚表面损伤)的变化趋势。

  • 硅碳棒表面损伤微观形貌

    2025-08-12 硅碳棒表面损伤微观形貌

    使用扫描电镜观察磨削后的硅碳棒​表面损伤微观形貌,结果如图13所示,图13a13d放大倍数分别为450,1500,250,250倍。由图13a、图13b可知:磨削加工中,硅碳棒在多磨粒作用下的损伤与单颗磨粒划擦损伤相似。

  • 图像处理软件对硅碳棒的表面形貌进行测量

    2025-08-11 图像处理软件对硅碳棒的表面形貌进行测量

    有限元结果表明,晶界结构在不同载荷下对硅碳棒加工损伤起着不同的作用。在低应力载荷下,晶界结构消耗应力,其勃性作用能够抑制微小裂纹的拓展;随着载荷增大,即使硅碳棒颗粒未发生破坏。

  • 揭示硅碳棒内部结构对材料损伤的影响

    2025-08-10 揭示硅碳棒内部结构对材料损伤的影响

    通过有限元仿真,可进一步揭示硅碳棒​内部结构对材料损伤的影响。以往的硅碳棒磨削仿真多将硅碳棒作为均质硬质材料,而忽略了其内部结构,现根据硅碳棒内部微观结构的实际形貌建立仿真几何模型。

  • 硅碳棒工件表面形成的划痕

    2025-08-09 硅碳棒工件表面形成的划痕

    本研究中涉及单颗粒划擦以及金刚石砂轮磨削2个实验。与前文理论分析相对应,单颗粒划擦硅碳棒​实验是为了验证材料在不同载荷下的材料去除方式、裂纹延展方式以及硅碳棒内部结构的力学性能差异,金刚石砂轮磨削实验是为了探究不同磨削工艺参数对硅碳棒表面/亚

  • 硅碳棒表面磨粒实际形貌进行测量

    2025-08-08 硅碳棒表面磨粒实际形貌进行测量

    通过小直径硅碳棒​磨削实验发现:减小单颗磨粒磨屑厚度和增大磨粒磨削弧长可以抑制硅碳棒磨粒的脱落,从而充分发挥硅碳棒磨削性能并降低由硅碳棒变形带来的形状加工误差。

  • 具体分析硅碳棒内部微观结构的力学性能

    2025-08-07 具体分析硅碳棒内部微观结构的力学性能

    单颗粒划擦损伤模型硅碳棒​独特的制备流程使其成品中包含大量微观结构,包括不同的晶粒形状、晶界、石墨相以及气孔等,如果直接将经典压痕断裂力学模型应用其中,而忽略硅碳棒微观结构对加工损伤的影响,会存在一定不合理性。

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