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2026-08-12 烧结温度对硅碳棒试样性能的影响
由于SiC的氧化在硅碳棒试样的表面进行，因此硅碳棒试样的氧化增重率与材料的表面积有很大的关系。因为1号硅碳棒试样致密度较高，气孔率较低，所以其氧化面积较少，在同样的氧化环境下比其它三个硅碳棒试样增重量少。
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2026-08-10 大颗粒含量对硅碳棒坯体密度的影响
这是因为硅碳棒碳化硅细粉粒度较小，在泥料户容易聚集，在水和塑化剂的作用下具有较大的可塑性，当大颗粒用量增加的时候，相应的细颗粒含减少。
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2026-08-08 硅碳棒塑化剂对挤出压力的影响及选择
重结晶硅碳棒材料的致密度对材料的性能有着非常重要的影响。由于重结晶烧结机制为蒸发凝聚机制，在高温下细粉蒸发后凝聚在大颗粒形成的凹面上，烧结的过程是气固相反应，没有液相产生，不会产生烧结收缩，材料的密度只会降低，不会增加。
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2026-08-06 硅碳棒材质的高温抗折强度是普通耐火材料的4-8倍
硅粉的氮化反应从900℃开始，1100℃以上反应速度急剧增加，反应在1450℃近于完成。氮化过程中坯体几乎无变化，Si与N,反应生成Si3Na之后有22%的摩尔质量增加致使氮化硅硅碳棒结构致密。
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2026-07-29 采用表面涂层是提高硅碳棒使用寿命的主要途径
同时硅碳棒中存在的杂质元素如Na,K,Ca等，在硅碳棒高温氧化过程中，它们也与氧反应，生成Na20,K20和Ca0等氧化产物，而这些氧化产物同时又与碳化硅的氧化产物Si0:反应，生成低熔点的硅酸盐，使氧化产物呈液态，增加了氧在氧化产物中的扩散速度，促进氧化的进
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2026-07-27 硅碳棒电阻与温度的变化关系
碳化硅热一电性能测试装置包含三个部分，分别是控制柜，调压装置和高温测试台。其中调压装置采用30 kW的单相变压器，可以从0--250 V连续调节，控制硅碳棒的输人电压。
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2026-07-25 表面除杂处理下硅碳棒的法向光谱发射率和总发射率
采用自动分光辐射测量测试了不同纤维类型、高温石墨化以及表面除杂处理下硅碳棒的法向光谱发射率和总发射率，利用x射线衍射仪(XRD)、显微激光拉曼光谱仪(LRS)进行物相结构分析。
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2026-07-23 有关硅碳棒用防氧化涂料的研究
硅碳棒却能在高达近1750℃下使用，究其原因就是它在高温氧化气氛下使用时，表面能玻化生成一层光亮致密的石英玻璃膜，该膜具有独特的高温抗氧化性，能保护内层的MoSiZ不再继续氧化。
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