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  • 区熔硅碳棒力学性能

    2024-03-15 区熔硅碳棒力学性能

    硅芯是热源载体,由于电流的集肤效应,等直径硅碳棒表面的温度是最高的,控制合适的等直径硅碳棒表面温度可以提高多晶硅的沉积速率。

  • 区熔硅碳棒的制备工艺

    2024-03-13 区熔硅碳棒的制备工艺

    区熔硅碳棒​制备难度非常大,要求原生多晶硅产品基磷电阻率大于5 000 iZ,基硼电阻率大于15 000SZcm,仅此两项性能指标就是非常大的挑战,具体参数见表1。

  • 全自动硅碳棒滚圆开槽一体机工作过程及优势

    2024-03-10 全自动硅碳棒滚圆开槽一体机工作过程及优势

    该硅碳棒​滚圆开槽一体机的工作过程如下:上下料机器人抓取半导体硅碳棒送至硅碳棒夹持区域,由固定夹头和滑动夹头夹紧硅碳棒,固定夹头和滑动夹头上的旋转电机转动硅碳棒,上下料机器人探针检测硅碳棒与夹头轴线的重合度。

  • 硅碳棒夹持组件

    2024-03-08 硅碳棒夹持组件

    硅碳棒夹持组件结构如图4所示。硅碳棒夹持组件包含滑动夹头和固定夹头,固定夹头安装固定在硅碳棒夹持组件基板上,滑动夹头在硅碳棒夹持组件内部的滚珠丝杠驱动下前后移动,改变固定夹头和滑动夹头之间的距离,以达到夹持不同长度硅碳棒的目的。

  • 硅碳棒表面温度和电气结构的问题

    2024-03-05 硅碳棒表面温度和电气结构的问题

    针对硅碳棒表面温度和电气结构的问题,本文提出了一种改进无模型自适应控制方法;建立了硅碳棒表面温度与电流和热电源的双闭环控制系统数学模型;利用误差变化率与控制变化率为性能指标,用在等价数据点处等价线性化。

  • 反应器中外环硅碳棒内部电流密度径向变化

    2024-02-27 反应器中外环硅碳棒内部电流密度径向变化

    在不同反应器壁发射率条件下,硅碳棒​半径为7 cm时,反应器中外环硅碳棒内部电流密度径向变化如图7所示。可以看出,随着反应器壁发射率增大,外环硅碳棒内部电流密度增大,且在径向方向形成一定的电流密度梯度。

  • 直流电加热硅碳棒二维轴对称几何模型

    2024-02-24 直流电加热硅碳棒二维轴对称几何模型

    数值方法及边界条件  应用COMSOLMultiphysicsversion4.2a建立直流电加热硅碳棒二维轴对称几何模型,网格剖分采用自由三角形网格划分,对网格化的硅碳棒模型进行热电藕合计算,得到硅碳棒内部径向温

  • 硅碳棒的选用原则

    2024-02-21 硅碳棒的选用原则

    根据所设计电炉的各部位尺寸和发热部总表面积,从硅碳棒尺寸表中查出所需规格,选定直径和长度后用公式几作=ndl( d为发热体直径,I为发热体长度),即可计算出单支硅碳棒的发热部表面积。用所需发热部总面积除以单支硅碳棒的发热部表面积,即可求得所需支数。

  • 硅碳棒从原料到成品制作工艺的分析

    2024-02-04 硅碳棒从原料到成品制作工艺的分析

    在炉温与表面负荷密度相同时,连续使用比间断使用的硅碳棒​寿命长。连续使用时表面氧化生成的石英薄膜保护棒体,防止棒体氧化。但石英薄膜在270℃时会发生异常膨胀,若间断使用,由于反复冷热变化,石英膜龟裂,腐蚀气体易向深层侵人,棒体加快老化,电阻值

  • 硅碳棒的标识方法

    2024-02-01 硅碳棒的标识方法

    焙烧炉用硅碳棒​按棒的形状分类标识,具体的标识方法参照JB/T3890-2008执行。

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