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2024-03-13 区熔硅碳棒的制备工艺
区熔硅碳棒制备难度非常大,要求原生多晶硅产品基磷电阻率大于5 000 iZ,基硼电阻率大于15 000SZcm,仅此两项性能指标就是非常大的挑战,具体参数见表1。
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2024-03-10 全自动硅碳棒滚圆开槽一体机工作过程及优势
该硅碳棒滚圆开槽一体机的工作过程如下:上下料机器人抓取半导体硅碳棒送至硅碳棒夹持区域,由固定夹头和滑动夹头夹紧硅碳棒,固定夹头和滑动夹头上的旋转电机转动硅碳棒,上下料机器人探针检测硅碳棒与夹头轴线的重合度。
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2024-03-05 硅碳棒表面温度和电气结构的问题
针对硅碳棒表面温度和电气结构的问题,本文提出了一种改进无模型自适应控制方法;建立了硅碳棒表面温度与电流和热电源的双闭环控制系统数学模型;利用误差变化率与控制变化率为性能指标,用在等价数据点处等价线性化。
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2024-02-27 反应器中外环硅碳棒内部电流密度径向变化
在不同反应器壁发射率条件下,硅碳棒半径为7 cm时,反应器中外环硅碳棒内部电流密度径向变化如图7所示。可以看出,随着反应器壁发射率增大,外环硅碳棒内部电流密度增大,且在径向方向形成一定的电流密度梯度。
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2024-02-24 直流电加热硅碳棒二维轴对称几何模型
数值方法及边界条件 应用COMSOLMultiphysicsversion4.2a建立直流电加热硅碳棒二维轴对称几何模型,网格剖分采用自由三角形网格划分,对网格化的硅碳棒模型进行热电藕合计算,得到硅碳棒内部径向温
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2024-02-04 硅碳棒从原料到成品制作工艺的分析
在炉温与表面负荷密度相同时,连续使用比间断使用的硅碳棒寿命长。连续使用时表面氧化生成的石英薄膜保护棒体,防止棒体氧化。但石英薄膜在270℃时会发生异常膨胀,若间断使用,由于反复冷热变化,石英膜龟裂,腐蚀气体易向深层侵人,棒体加快老化,电阻值