硅碳棒涂层的形成原理硅碳棒电热元件在没有涂覆防氧化硅碳棒涂层前，元件的气孔率较高，外界氧不但与表面的硅碳棒反应而且还通过开口气孔直接进入元件内部与内部的硅碳棒反应。虽然硅碳棒电热元件在没有涂刷防氧化硅碳棒涂层时，在使用过程中也能生成一层Si0:保护膜，硅碳棒 + 20z = SiOz + COz，但是生成的Si0:保护膜不连续、不致密，在使用过程中受温度变化或机械冲击易产生微小裂纹和剥落，且自愈合能力差，仍然为氧的迅速扩散提供了通道，所以防氧化能力较差。

    当硅碳棒电热元件涂覆硅碳棒涂层后，由于配制料浆用的粉料粒度极小，且料浆的稠度小，因此在涂刷时易形成玻璃相的溶胶颗粒渗透充填到硅碳棒电热元件的开口气孔中，经逐渐升温先在表层自愈氧化，逐渐形成一定数量的富含Si0:的致密玻璃相保护膜，Si0:玻璃相保护膜粘度大、附着性好且均匀不流淌、氧渗透率低，能均匀地铺展在硅碳棒电热元件表面，且与棒体表面结合牢固，封填了基体中的热裂纹和气孔，阻隔氧气的侵入;同时随着温度升高，原料中的低熔点物质Si开始熔融，并通过基体表面和硅碳棒涂层原料间的孔隙渗透和扩散，基体表面和硅碳棒涂层内部的孔洞也会被熔融Si所充填，在升温和保温阶段(1400 ℃，液相Si继续扩散，同时会携带一部分细小的硅碳棒和莫来石等颗粒一起运动，加快扩散渗透的速度，最终在基体表面生成致密的玻璃态保护膜，隔绝外界氧化气体进入，阻止了硅碳棒电热元件进一步氧化。在温度和氧分压较高时，即使保护层受温度变化和机械冲击出现微小裂纹和剥落，在小裂纹处裸露的新硅碳棒涂层也会立即被氧化而自愈合形成新的保护层。这个过程反复发生，长期地缓慢氧化进行下去，使再生的保护层逐渐变的更厚、更坚固，最后形成一层光亮致密的玻化层，因此有效屏蔽了外界氧的进入，使得内层硅碳棒电热元件的氧化反应被抑制，保护了硅碳棒电热元件。原料中的硅碳棒、莫来石、A120:等的熔点都高于制备温度，而Si的熔点极为接近制备温度，硅碳棒涂层的形成主要是机械堆积和多组分的液相烧结形成。