结合实验室的试验及生产过程氮化阶段的控制，对氮化硅结合硅碳棒的烧结过程进行机理分析，总结出最佳的烧成控制工艺。氮化硅结合硅碳棒是一种以碳化硅为主晶相、氮化硅为结合相的高级耐火材料。由于Si,N与SiC具有相似的晶体结构，均为共价健化合物，因此，其烧结比较困难。氮化硅结合硅碳棒(NSiC)具有高温强度高、耐腐蚀、承载大、重量轻、抗氧化、热愚稳定性好等许多优异性能，使其成为在2oa℃以上最有使用前途的高温结构陶瓷材料，是航天、航空、核能等高新技术领域的关键材料。同时，作为一种新型的高级耐火材料，在工业窑#,钢铁冶炼等方面具有广泛的市场前景在建卫陶瓷、电子陶瓷、日用陶瓷、微晶玻璃等行业得到广泛应用，作为窑具、窑炉配件和结构部件等，对于提高生产率、节约能源、降低成本等发挥着重要作用。

       氮化硅结合硅碳棒的反应烧结是在1Qp℃以上的高温下，在氮气氛中(微正压控制)，通过氮化反应中的物理及化学过程所合成的，坯体中的金属硅粉与氮气发生反应生成Si;Na，晶体围绕SiC颗粒形成包容网络，首先化学吸附于硅表面的氮气与硅反应形成ia核，氮气的分伍越高，核的生成量越多，硅借助于表面扩散与熬发一凝结而移动，在这个过程中，氮化率随时间延长而增长，随着时间的延长，氮化速度逐渐降低。氮化反应是一种固相的渗氮行为，氮气进人炉腔后，随着温度的逐渐升高，氮气的活动性加剧，活泼性增强，当达到一定的温度(11001200℃)时，从获得足够的活化能而和坯体中的Si原子发生反应，反应后放出多余的能量，这些能量传递给该反应周围由于升温而已濒临活化的5i原子，使这些Si原子得到足够的活化能而进行活化反应，反应的结果是形成网络结构的3从。见下方程式:35i-21Vz14600CSi314+736kjJmol烧结过程中产生22的体积膨胀，因为硅碳棒的外部尺寸没有发生变化，生成物进人了存在的气孔中导致了硅碳棒体密的增加，硅碳棒的致密度加强。http://www.zbqunqiang.cn/