介绍了一种用反应蒸岌工艺生长在峋瓷平板上的一种硅碳棒，给出了薄膜电阻率与温度的关来以及电功率与时问的关系，分析了这些特性在实际应用中的作用和功能。对其它特性也作了简略介绍。金属氧化物膜式电热转换硅碳棒由于其电热转换效率高，重量轻，无明火辐射波长较长，故有着极为广泛的用途。为适应不同场合的使用，所用衬底一般为人造云母衬底、金属搪瓷衬底以及高温玻璃衬底等。但电热膜的生长工艺大都采用喷涂工艺和CVD法C7所生产的器具大都为咖啡壶等.目前市场上的这类电热器具大都不能干烧，有的需要先通水后通电。有的需要加风冷散热，对于可以干烧的器具其功率密度一般不大于0.2W·cmx。若需要较大的功率的话，就需要相当大的面积和硅碳棒的高成本。针对这一情况，本研究采用反应蒸发的方法合成了一种大功率密度的高效电热膜硅碳棒，其功率密度最高可达3.5W"cm-x，而且这种膜不需要任何附加条件，在目前的实验条件(环境温度为一200C-34C)下，完全可以干烧使用。硅碳棒所选衬底为240X220x4mm，的人造陶瓷板。经清洗干燥后置子真空室内(镀膜机)，预真空为2,fiX10Pa，而后通氧，氧分压约为8.6?(10-zPa，衬底温度为320C,蒸发源为某种低熔点金属及其有掺杂剂的合金。淀积速率控制在15nm/每分钟，生长时间30分。三、薄膜电阻率与温度的关系为了很好地掌握这种电热膜硅碳棒的性能进而灵活地使用它，对它的几个主要性能进行了测量。首先测量了薄膜方块电阻R口与温度的关系。图1,2,3分别给出了1500W,800W.400W(1#,23)样品的R口一T关系。由图可见，R口随温度的变化较大。它们的总趋势是R口随温度的升高而缓慢下降，而后突然跌到一低谷。随着温度的进一步升高R口由低谷迅速上升。特别是1”和3祥品，曲线有两个转变点:一个下降转折点和一个上升转变点。很明显，硅碳棒的电阻率有两种温度系数，一个区域基本上存在负温度系统数，另一个区域存在正温度系数。在较低温度下，电阻率随着温度的升高而下降，电功率有所升高，一直到某一温度时，其温度系数转为正值，电阻率随温度的升高而升高，电功率随之下降，直至稳定在一定的功率点。这样的温度特性给硅碳棒带来许多优点，一般地说它有以下三点意义。