硅粉的氮化反应从900℃开始，1100℃以上反应速度急剧增加，反应在1450℃近于完成。氮化过程中坯体几乎无变化，Si与N,反应生成Si3Na之后有22%的摩尔质量增加致使氮化硅硅碳棒结构致密。在1100℃一1380℃主要生成。-Si3Na,1400℃以上主要生成R-Si3Na，在通常氮化制度下是。与R相共存，最后形成。-SiC被。-Si3Na和R-Si3Na结合相所包围的制品。氮化硅硅碳棒性能影响因素硅粉的氮化反应是放热反应，在中高温氮化阶段(指1100℃以上)，应严格控制反应速度，若速度过快，反应过程中会由于硅的熔化而造成阻塞坯体内通孔，阻碍氮气进一步渗入坯体，造成反应不完全，残留硅较多，从而恶化材料性能。硅的氮化反应速度取决于氮气的扩散速度，而氮气的扩散速度与温度满足。(DN),=1.2X10-bexp(一233/RT)m-/sCDN)。=5.8X10--exp(一771/RT)m-/s式中(DN)。为氮气在。-Si尹a中的扩散系数中;CDN)。为氮气在R-Si3Na中的扩散系数;R为气体常数;;T为温度。可见随温度升高，反应速率加快，在硅熔点以上比硅熔点以下快的多。在同一温度下，氮化率与时间符合抛物线关系。因此，若氮化温度过低，则反应大大减缓以至于反应不完全。在1180℃及1280℃两个反应高峰期应增加保温时间，以免反应快速出现“流硅”。在严格控制升温速度同时应保证氮气纯度，氮气纯度应达到99.99%以上·在高温下，Si尹a能被氧气或水蒸气氧化，析出方石英Si0。此种氧化与温度和材料的致密程度有关，随着时间增长，逐渐在其表面形成的二氧化硅薄膜起保护作用，从而减缓氧化过程。氮化硅硅碳棒抗折强度随温度升高而提高，至1400℃时，强度开始下降，但到1500℃时仍保持常温抗折强度指标。硅碳棒材质的高温抗折强度是普通耐火材料的4-8倍，热膨胀系数是高铝耐火材料的一半，导热系数是一般耐火材料的7-8倍。http://www.zbqunqiang.cn/