考虑到整个反应在高真空度下进行，只能采用硅碳棒直接热量供给。常规的硅碳棒材质有石墨棒、硅碳棒。高纯石墨棒硅碳棒表面最高温度可达3 000 ℃。如图9所示，在10 Pa时，高纯石墨硅碳棒在温度高于1 250℃条件下不会与SiO反应，但在反应炉降温过程中，高纯石墨仍有被Si0腐蚀的可能。高纯石墨由于材质硬度，存在着硅碳棒寿命较短的问题，不适于在工业生产中大规模应用。硅碳棒的主要材质为SiC,SiC与Si0反应的平衡模拟产品分布如图9所示。由图可知SiC'在温度超过1 080℃时仅受到轻微腐蚀，且在模拟温度范围内不会与生成的Si0反应。硅碳棒的主要材质为MoSiz,MoSiz与Si O反应的平衡模拟产品分布如图所示。由图可知，当温度低于1 290℃时，MoSi:未发现有腐蚀的趋势;当温度超过1 290℃时，MoSiz开始分解为Si和MopSi，但上述两种物质在高温条件下(1 290℃)未发现与产物Si0反应的倾向。值得指出的是，在氧化气氛下，硅碳棒表面会氧化生成一层致密的Si02层，该Si O2层可有效隔离硅碳棒内部材质与加热气氛，起到较大程度延长硅碳棒使用寿命的作用。为此，我们也进行了SiO2与SiC)反应的平衡模拟产品分布的分析，如图n所示。由图n可知，在温度超过1 170℃时，硅碳棒表面的SiOz不会与Si0反应。因此，通过先在氧化气氛中进行预处理的方法，有望延长硅碳棒在Si0生产过程中的使用寿命。比较而言，硅碳棒电热硅碳棒表面温度最高可达1 450℃，难以满足Si O实际生产的温度要求，而电热硅碳棒表面温度最高可达1 800 ℃。由上述分析可知，通过氧化气氛预处理的硅碳棒更适用于Si0生成。

       1)10 Pa条件下，在常规选用的增祸材质中，高纯石墨在低于1 250℃时会与反应物中的Si反应，刚玉在低于1 080℃时会与SiOz反应生成硅酸铝盐，氮化铝会与产物Si0反应，氮化硅自1150℃时开始分解，碳化硅仅在温度超过1 080℃时发生较少量的腐蚀，而氮化硼虽然在低温(G1 170 ℃)会生成Siz Nz)和13，但由于氮化硼为凝聚态，且不与物料进一步反应，对增祸的性能影响不大，而当温度超过1170℃时，氮化硼不与反应物料发生反应。

       2)10 Pa条件下，在常规选用的硅碳棒材质中，高纯石墨棒仅在反应温度低于1 250℃时会与SiOz反应而被腐蚀，但由于其材质硬度偏低，其工业适用性有待商榷。硅碳棒都不会与Si0反应。其中，硅碳棒在温度超过1 080℃后仅会受到轻微腐蚀。硅碳棒在温度超过1 290℃后会分解成Si和MopSi，但在氧化气氛下预处理后，硅碳棒表面生成的致密Si O:可有效隔绝加热气氛与硅碳棒材质的接触。

       3)综合考虑材质硬度和成本，Si0生产过程增祸材质宜选用碳化硅材质，而硅碳棒宜选用硅碳棒。http://www.zbqunqiang.cn/