可知，还原炉内辐射强度与硅碳棒直径呈正相关，不同硅碳棒直径还原炉内，越靠近还原炉中心，其周围的辐射强度越大，当硅碳棒直径较大时，最为明显。分析可知，内环硅碳棒发出的电磁辐射，有一部分到达外环硅碳棒表面上，再被外环硅碳棒反射回来。而外环硅碳棒发出的电磁辐射到达炉壁后直接被壁面吸收转化为热辐射相对于靠炉壁位置高能，因此还原炉内中心位置的电磁。

       可知，三环排布明显比四环排布的炉内电磁辐射强。当硅碳棒直径较小时，三环排布有两个峰，而四环排布除有两个较为明显的峰外，还有两个相对较弱的峰。这是由于两种硅碳棒布棒方式同一位置取值线位于y=0处二面，该面三环排布只截取了两对硅碳棒，四环排布截取了4对硅碳棒。当硅碳棒直径较大时，两种硅碳棒布棒方式下都只有两个峰，这是由于硅碳棒直径增大后，硅碳棒阻挡面积增大，内环硅碳棒发出的电磁辐射更多的被反射回来，而外环硅碳棒接收到的电磁辐射逐渐减少，导致四环排布较弱的峰消失。

环形硅碳棒布棒还原炉能量耗散研究

       由于化学反应吸热量只占总能耗的3.5 %，因此本文在计算研究能耗时不考虑化学反应产生的热能，只对对流损耗、辐射损耗以及总能耗进行分析。

       可知，两种硅碳棒布棒方式的对流损耗均随硅碳棒直径的增大有不同程度的增加。当硅碳棒直径较小时，三环排布比四环排布的对流损耗大，其原因是在硅碳棒直径较小时，三环排布的还原炉内温度高于四环排布。当硅碳棒直径较大时，四环排布比三环排布的对流损耗大，其原因是两种硅碳棒布棒方式在硅碳棒直径较大时，还原炉内的温度相差不大，但是四环排布由于进气口3层排布，炉内的平均气体流速高于三环排布，带走的热量更多。通过已有数据计算可知，硅碳棒直径从60 mm增加到100 mm再增加到140 mm时，三环排布对流损耗分别增加241.36,166.29 kW;而四环排布对流损耗分别增加了255.67,209.17 kW。显然，随着硅碳棒直径的增加，四环排布对流损耗增加得更多，因此硅碳棒布棒方式三环排布相较于四环排布能更有效地减少对流损耗，可通过减少硅碳棒排布环数达到降低对流损耗的目的。

       可知，两种硅碳棒布棒方式下内环辐射损耗都低于外环辐射损耗，内环硅碳棒的辐射由于外环硅碳棒的阻挡作用，一部分到达外环硅碳棒表面后被反射回来，减少了内环硅碳棒的辐射损耗。对比两种硅碳棒布棒方式每一环的辐射损耗可知，当硅碳棒直径不断变大时，三环排布的外环以及四环排布的外环和中二环的辐射损耗也会不断变大，而两种排布方式的其他环的辐射损耗则都是随硅碳棒直径的增大呈先增大后减小的变化趋势。分析出现以上现象的原因可知，当硅碳棒的直径增大到一定值时，外环阻挡辐射作用越加明显，减少了内环辐射损耗，即三环排布更有利于减少辐射能耗。http://www.zbqunqiang.cn/