分别为2种还原炉300mm高度处横截面的温度分布图，从图中可以看出未安装内接管的还原炉下段截面的温差较为明显，这是因为炉体下端出口气速过大导致热量被带走，同时出口处气速过大导致气体剧烈扰动，位于出口上端的气体被快速带走，而内部的气体还停留在硅碳棒附近，导致硅沉积不均匀。而装有内接管的炉体下段横截面的温度分布更为均匀，这是因为内接管对炉内气体有分散排出的作用，因此未产生局部温差过大的现象，优化前截面平均温度为1032.71K，优化后截面平均温度为1102.54K。硅碳棒表面温度对比分别为现役和优化后的还原炉硅碳棒表面温度分布云图，优化前硅碳棒表面的平均温度为1314.06K，硅碳棒表面最大温差达到了295.16K;优化后硅碳棒表面温度为1321.70K，硅碳棒表面最大温差为197.13K。从图中可以看出底部硅碳棒表面与上端相差明显变小，说明优化后硅碳棒表面沉积更加均匀，从而减少由气体流速过快导致的热量损失，需要通过对硅芯加热能耗减少，整体上降低还原炉能耗。为优化前后炉内每间隔500mm截面平均温度对比，优化前温度变化梯度较大，炉内平均温度为1141.71K，优化后炉内平均温度为1285.48K,且温度变化梯度降低，炉内平均温度升高，有效地降低了加热能耗，有利于多晶硅的均匀沉积。运用Fluent软件对现役多晶硅还原炉和优化后的还原炉分别进行了数值模拟，模拟结果表明增设内接管后还原炉内部中心线温度波动比未安装的更平缓，有利于减少硅碳棒底部热损失和使反应物充分反应，进一步加强硅的均匀沉积。由于还原炉底盘线路以及装置较多从而构造复杂，多出口且出口面积过小容易被硅粉堵塞，但是安装了此内接管可以解决出口排布问题，且制造成本低且容易拆装。http://www.zbqunqiang.cn/