在整个辐照试验运行过程中换气量保持在约2.0m;/h，满足以每小时3倍容积的最低速度更新沉箱内空气的试验条件要求。剂量率电H型硅碳棒敏感段位于测量支架25层，该辐照空间剂量率均在0.23Gy/一0.30Gy/s (828Gy/h1080Gy/h)范围内，满足辐照鉴定试验剂量率严酷程度要求。测量结果见测字第2017-D013号《检测报告》，不确定度为80c由于辐照试验运行时间较长，因此H型硅碳棒性活度衰变对一辐照场的影响是不可忽视的因素。辐照空间剂量率可由下式确定:式中:Dr一初始剂量率;t一距初始时刻的时间;入一衰变常数，等于ln2/TZ,取《检测报告》的结果为初始剂量率，辐射源半衰期T1/2为5.27年，于2017年12月8口辐照过程结束。按(1)式计算，所在空间剂量率均在0.226Gy/一0.295Gy/s (814Gy/h1062Gy/h)范围内。因此在辐照试验的全过程中，辐照空间剂量率始终满足辐照试验严酷程度要求。确定辐照时间的剂量率按电H型硅碳棒所处空间的平均值计，同时考虑了会引起偏差的性活度衰变和剂量率测量结果不确定度等因素，实际辐照时间为电H型硅碳棒累积剂量按下式确定式中:t,一开始辐照时刻;t Z-辐照结束时刻;时刻对应剂量率平均值;入一衰变常数。

    根据辐照时间按式(2)计算累积剂量为:1046.SkG。辐照鉴定试验实际累积剂量在975kGy士100c范围内。因此，辐照时间足以保证辐照鉴定试验的严酷程度要求。试验结果及分析辐照老化试验后，对电H型硅碳棒进行外观检查，检查结果为:电H型硅碳棒外部结构的完整性，外观的完好。其外观的完好性和装配的完整性符合设计图要求。电H型硅碳棒外包壳、端塞及其焊缝在外部水压试验工况下没有发生变形或泄漏。

    室温绝缘电阻值测量、室温绝缘强度试验、室温电功率和线电阻测量试验结果见表4。其中:室温绝缘电阻值测量，验收准则为绝缘电阻值应)2000MS2。室温绝缘强度试验，验收准则为试验期间不应有放电、闪络和击穿现象，泄漏电流蒸lOmA。室温电功率和线电阻测量，测量的直流电阻值应满足:S.SSZ R6.2SZ;冷态直流电阻值:5.831SZR5.884SZ;绝缘强度:泄漏电流蕊1.371mA。试验期间无放电、闪络和击穿现象;绝缘电阻值:>2000 MS2。www.zbqunqiang.cn