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出现在硅碳棒控制系统的不同位置

2021-06-29 17:27:20     点击:

    滞后环节可能会出现在硅碳棒控制系统的不同位置,如主要过程可能涉及长距离的液体传输,或包含长时间的潜伏期;测量装置可能需要较长的时间间隔才能完成采样和分析,如气相色谱仪;执行器可能需要一定的时间产生执行信号。下面分析滞后环节出现的位置对系统的动态特性的影响。图2.3是硅碳棒控制系统框图。其中G(S)是控制器传递函数,Go(s)是广义对象前向通道的传递函数,Gm(S)是广义对象反馈通道的传递函数,GF(S)是干扰通道的传递函数。下面分别出现在Go(S).Gm(S)或G(S)中的滞后环节对过程控制品质的影响。可以看到,系统的总滞后是由组成闭环的各环节滞后叠加而成,即z=zy+zh扰动通道的滞后z、不在其中。系统的闭环特征方程是:因此,出现在闭环任一个环节中的滞后都会引起开环系统的增益增大,这样其幅相特性曲线就有可能包围(-1,j0点,同时由于等效滞后时间的增大,使得闭环响应对周期性扰动更为敏感,从而使系统更接近稳定边界,包围(-1,j0点的可能性更大,这样就降低了系统的稳定性,使系统的超调量增大,造成闭环系统的动态品质变差。对于出现在干扰通道的时间滞后,不处于闭环回路中,它相当于干扰在T时刻后作用于系统。因此它的大小不会影响系统的开环频率特性,也不会影响闭环系统的稳定性,也不影响控制质量。

    硅碳棒时滞系统的控制一直是一个很有挑战性的难题,而且专家在这方面也进行了大量的研究。总的来说时滞补偿方法可以分为三大类:一是通过最优化控制器参数的补偿方法。这类方法不需要改变控制器的结构,试图寻找更适合的参数来补偿时滞;二是通过优化控制器的结构来实现时滞的补偿,最有代表性的就是Smith预估控制;最后就是采用模糊逻辑控制补偿。本节通过对各种控制方法的理论分析和仿真验证,对各种算法的性能进行分析比较。www.zbqunqiang.cn


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