小同抛光压力下硅碳棒晶片的MRR如图6所示，抛光后表面形貌如图7所示。根据图6可知，晶片的MRR随着抛光压力的增大而增大。当抛光压力分别为4 kg,8kg,10 kg时，MRR分别为64 nm/h, 80 nm/h,92 nm/h以及102 nm/h。当抛光压力较小时，抛光垫和晶片间可能处于流体润滑状态，主要为二体接触。磨粒所受剪切力较小，因此磨粒在晶片表面嵌入深度小，在晶片表面主要的运动方式为滑移状态，晶片材料去除率低。当压力小断增大时，由于抛光垫表面存在大量粗糙峰在剪切力作用下表面粗糙峰发生弯曲和折断，抛光垫与晶片问实际接触面积增大。同时压力增大使得抛光垫和晶片问润滑膜厚度降低，此时处于边界润滑状态，摩擦行为主要为三体接触。在较大剪切力作用下磨粒在晶片表面嵌入深度增加，运动方式也由滑移转变为犁削，故会有更大的材料去除量。

    根据图7，抛光压力为4 kg, 6 kg,8 kg,10 kg时所对应的晶片表面Ra分别为0.172 nm, 0.167 nm,0.158 nm以及0.310 nm。当抛光压力为4 kg和6 kg时，此时抛光压力较小，化学作用速率大于机械作用速率，晶片表面生成的氧化层小能被完全去除，抛光结束后晶片表面Ra相对较高。当增大压力后，抛光压力达到8kg时，有效磨粒数量增多，切削深度增加，机械作用强度增加，磨粒对晶片表面氧化层去除更加均匀。但是抛光压力继续增大达到10 kg时，抛光垫和晶片问液体润滑膜进一步减薄，抛光垫表面较高粗糙峰和晶片问处于干摩擦状态，磨粒切削深度大于氧化层深度从而在晶片表面留下刮痕，导致晶片表面质量迅速下降。流体膜的厚度的降低使得化学作用快速减弱，同时机械作用的增强，使得机械作用和化学作用的匹配度更低，导致抛光压力为10 kg时晶片表面质量迅速h降。图7中，相比于图<a)一(c，Cdr图所示晶片表面有较为规律的表面理。这可能是由于在抛光压力为10 kg条件下，较大的机械作用使得硅碳棒基体表面台阶暴露。在磨粒磨削作用下，部分碎片在基体台阶上发生堆积，导致晶片表面可见纹理情况下同时具有较高的表面粗糙度。由上可知，在抛光压力为8 kg时，氧化膜生成速率和机械去除速率更接近于平衡，可以获得较高的MRR和表而贡量。www.zbqunqiang.cn