1.以金属Ni作为催化剂，SiH4和C2H2作为反应气体，以Si为基片在高温下合成硅碳棒晶须，研究了VLS生长机理，以及温度、气压、催化剂厚度等工艺条件对硅碳棒晶须生长的影响。

2.开展了3C-硅碳棒微米柱阵列的自组装生长研究

    利用VLS生长机理合成的硅碳棒晶须，由于生长初期，Ni-Si小液滴在基片表面随机的生成，使得生长出的硅碳棒晶须杂乱无章。为了实现硅碳棒的定位生长，我们采用半导体刻蚀技术，在Si基片上形成圆孔阵列，并在圆孔中填入金属Ni作为催化剂，制备并表征了3C-硅碳棒微米柱阵列，并在微米柱阵列生长的基础上，实现了毫米尺度的长条状硅碳棒薄膜选择性外延生长。同时，我们以金属Ni做催化剂，利用VLS生长机理，在Si基片上异质外延生长了3C-硅碳棒薄膜。

3.开展了硅碳棒薄膜的VLS自组装外延生长研究

    生长硅碳棒微米柱的研究中发现，在高温下，大面积液滴有可能会在基片表面运动，从而导致硅碳棒微米柱的横向生长，形成了大面积的硅碳棒薄膜。因此，如果能在整个基片表面引入液相，则可以利用VLS机理生长薄膜。我们以液相Si作为催化剂，利用“两步法外延工艺”，高温下同质外延生长6H-硅碳棒薄膜，在薄膜表面封闭微管的同时，抑制了表面台阶的形成，提高了表面平整度。

4.开展了多孔硅碳棒薄膜缓冲层研究

    利用MTS作为反应气体，在Si基片上生长3C-硅碳棒薄膜，研究了生长温度、流量等反应条件对多孔硅碳棒薄膜生长的影响;在此基础上，为了释放Si基片与硅碳棒薄膜之间的应力，开展了以多孔硅碳棒作为缓冲层，在Si (100)基片上外延3C-硅碳棒薄膜的研究。www.zbqunqiang.cn