尽管如此，硅碳棒技术也存在一些自身的缺点，主要有下列几点:

    (1)由于反应气体多为易燃、易爆、有毒、有腐蚀性的气体，会带来安全隐患以及环境污染。因此，在实验中，应该做好安全方面的措施，同时，尽量采用安全的气体作为反应气体，慎重处理实验废气。

    (2)在生长复合材料薄膜过程中，由于使用的是多种反应物，各种反应物在相同的温度下饱和蒸气压各不相同，各成分的化学计量比不易调节。

    (3)由于一些特殊的需要，许多硅碳棒技术采用结构复杂的反应室、气路或者使用特殊的真空环境，加之硅碳棒系统本身地密闭性、安全性要求，从而导致其成本增高。

    经过多年的发展，随着人们对硅碳棒技术研究的不断深入，硅碳棒技术已经逐渐走向成熟，目前，硅碳棒技术已经成为制备薄膜的重要手段之一，而为人们所广泛使用。同时，由于特殊合、特殊应用的需要，各种辅助手段也逐步应用到硅碳棒技术中，比如等离子激活、光辐射激活、金属有机化学气相沉积、微波硅碳棒，火焰硅碳棒等等。这些辅助技术的加入，使得硅碳棒技术更加完善，不仅能实现半导体外延层的生长合成，同时也可以用来制备各种功能层，例如保护层(防腐蚀、防氧化、防磨损的)、阻隔层(抗热冲击)等等，还可以合成各种陶瓷纤维，满足人们的使用需求。由于在硅碳棒系统中，几乎所有的气体都可以作为反应物使用，因此使得生长一些特殊的材料，比如人造金刚石薄膜、超晶格多层薄膜以及纳米材料等等成为了可能。www.zbqunqiang.cn （p22）