利用EDS分别对两个微米柱进行分析，如表4-1所示。硅碳棒分析表明不论是以CH4还是C2H2为碳源生长的薄膜都只含Si, C和Ni三种元素。但表今1的EDS成份分析数据显示以CZH2作为反应气体生长出的微米柱C元素原子百分含量很高，而以CH4为碳源制备的薄膜Si/C原子百分比更接近1:1，结晶质量优于以CZHz为碳源制备的硅碳棒薄膜。

    对两种微米柱采用Raman光谱分析的图谱如图4-12所示.可以清楚地看到，使用C2H:作为反应气源时，微米柱的拉曼峰除了3C-硅碳棒峰以外，在1338和1665ctn”附近还有两个明显的拉曼峰，这是无定形碳的峰位;并且与采用CH4作为气源的微米柱分析结果相比，使用CZHz生长出的3C-硅碳棒微米柱的TO峰和LO峰相对强度明显减弱。这表明采用CZH:作为气源生长出的硅碳棒微米柱周围有大量的无定形碳生成。

    相对于CHa而言，C2H2更活泼，分解温度也更低，根据前面的实验结果表明，CzHz非常适合生长硅碳棒晶须;但是在生长硅碳棒微米柱时，由于CZH:非常活泼，在反应温度下会分解出大量的C原子，很多C原子来不及进入Ni-Si液相合金，而在微米柱周围沉积下来，使得硅碳棒微米柱周围检测出大量的无定形碳;同时，在生长硅碳棒微米柱的过程当中，由于CzHz分解出的C原子异常活泼，非常容易和从SiH4分解得到的Si原子反应，生成硅碳棒薄膜，使得进入Ni-Si液相合金的Si原子数量进一步减少，造成相同的C/Si比下，采用C2Hz作为反应气体的硅碳棒微米柱生长速率略小于以CH4作为反应气体合成硅碳棒微米柱的生长速率。

    实验表明相较于CzHz而言，CH4更适合3C-硅碳棒微米柱的合成。实际上，CH4和C3H:一起在大多数双气源CVD实验中用来生长硅碳棒薄膜。www.zbqunqiang.cn