影响硅碳棒选择性生长的因素还有很多，例如，反应气流的变化会影响长条状的硅碳棒形貌.实验中，将制作好催化剂的Si基片放置在石墨舟的凹洞处，再稍倾斜的盖上托盘，只留出一极小的缝隙以便反应气体通过。这种处理方式，相当于在不改变整个反应气压的情况下，增大了气体的流速，使得单位时间内，流过基片表面的反应气体增多.实验中以CH4和SiH4作为反应气体，流量均为3 sccm，生长温度为1350 ℃，反应室气压控制为60，生长时间为1小时。图4-31为采用此方法生长出的硅碳棒表面形貌图。发现硅碳棒并不致密，在表面形成了网状多孔的结构，与前面通常情况下生长出的薄膜表面形貌大不相同。

    由于过量的催化剂的存在，使得长条状硅碳棒生长对温度、气压等常规反应参数并不敏感。根据Ni-Si相图，当反应室温度高于600 ℃后，催化剂就会逐步的转变为Ni-Si液相合金，在整个生长过程中，催化剂一直处于过量的状态，也就是说在矩形凹槽中，一直有足量的Ni-Si液相合金保证长条状硅碳棒的生长。因此，长条状硅碳棒生长与硅碳棒晶须相比，不存在催化剂耗尽或者明显减少的过程;而与硅碳棒微米柱生长相比，整个矩形凹槽的体积是微米柱的数万倍，使得长条状硅碳棒的生长对一些诸如气压、温度等常规的反应参数改变并不敏感。

    在硅碳棒晶须生长的研究中发现，随着催化剂厚度的增加，生长出的硅碳棒晶须直径逐渐变大，当催化剂厚度达到2 .m时，在lOmmXlOmm的基片上生长出了硅碳棒，如图3-11所示。从VLS生长机理来说，当催化剂厚度达到一定程度时，Ni-Si液相合金在Si基片表面只收缩成一个小液滴，换句话说，Ni-Si液相合金与Si基片间的铺展角度约为零。在这种情况下，进入小液滴的Si和C原子依旧在L-S界面析出，如果在硅碳棒生长过程中保持有足够多的催化剂，那么生长出的不再是晶须而是硅碳棒。（p72） www.zbqunqiang.cn