以MTS为反应气体，流量为20scan,HZ作为载气，流量固定为500scan,生长温度为1100℃，反应时间为5分钟。生长出的硅碳棒如图6-7所示。从图中可以看见大量的SiC成核区，同时在Si基片上形成了许多的小孔，生长出的薄膜将作为过渡层，这些小孔的存在有助于释放硅碳棒与Si基片之间的应力.将MTS为气源生长了5分钟的薄膜放入反应室，以C践和SiH4作为反应气体，流量分别为4scan和2scan，反应气压为30Torn，生长温度和生长时间分别为1320℃和1小时。生长后的形貌图如图6-8所示:在Si基片表面形成了连续的薄膜，没有在表面出现多孔的形貌，如图6-8(a)所示;并且在硅碳棒与Si基片的界面处，发现了很多孔洞.整个生长过程示意图如图6-9所示。在MTS生长多孔SiC层过程中，由于生长时间较短，仅仅是在Si基片表面形成大量的SiC成核区，同时MTS反应会生成HC1气体，使得Si基片被腐蚀出大小不一的小孔，换句话说，这些小孔的存在，将整个基片转变为不连续的“平台”.在放入CH4-Si价珑系统进行外延时，由于SiC成核区已经存在，使得硅碳棒将以SiC成核区为中心外延生长.根据理论，反应开始时，由于“平台”的存在，薄膜将不会沿C轴方向生长，C氏-SiH4反应产生的一系列生成物，将以吸附原子的形式在整个平台运动，并在平台边缘处以“悬臂”形式过分生长，当生长的“悬臂”完全遮盖住基片表面的孔洞时，薄膜横向生长结束，将继续沿着C轴方向生长，最后生长出连续的薄膜。对生长出的硅碳棒进行XitD扫描，如图6-10所示，发现与多孔硅碳棒层不同，在Si(100)基片上外延的硅碳棒仅有Si(200)取向，并且半高宽仅为0.80。XRD的分析结果表明，通过以多孔SiC层作为过渡层，生长出的SiG薄膜具有良好的结晶性。www.zbqunqiang.cn