提高硅碳棒的表面平整度
2022-02-18 12:05:50 点击:
采用“两步法”外延工艺,成功地将“VLS生长工艺”与“传统CVD工艺”结合,实现了6H-硅碳棒的同质外延生长。采用“两步法工艺”在外延的硅碳棒表面封闭微管的同时,进一步提高硅碳棒的表面平整度,薄膜表面台阶高度下降为3-5 nm,均方根粗糙度降低为2.5 nm,并且通过HRXRD分析表明,采用“两步法工艺”外延的硅碳棒具有良好的结晶性。
利用MTS反应气体,在Si基片上成功地实现了多孔硅碳棒的生长,研究了温度、气流等生长工艺对多孔硅碳棒生长的影响。
以多孔硅碳棒作为缓冲层,在Si (100)基片上实现了3C-硅碳棒的生长。通过研究发现,采用CH4-SiH4-玩系统,多孔SiC为缓冲层生长出了表面连续的3C-硅碳棒,由于多孔层能有效地释放薄膜与基片之间的应力,使得生长出的3C-硅碳棒具有良好的结晶性,SiC (100 )X射线衍射峰的。扫描半高宽仅为0.80。www.zbqunqiang.cn
- 上一篇:多孔硅碳棒的小孔尺寸和密度 2022-02-16
- 下一篇:硅碳棒夹头的改进 2022-02-21