硅碳棒的电热特性与一般的金属硅碳棒不同，在室温至900℃温度区间，随温度升高，电阻降低，表现为负的电阻温度系数;当温度超过900℃后，随温度升高，电阻增加幅度较大，表现为正的电阻温度系数。同时硅碳棒在氧化气氛中使用会逐渐氧化生成二氧化硅，随之电阻逐渐增加导致硅碳棒老化。

    硅碳棒的使用初期，其表面未能形成致密的氧化膜，氧化反应较快，电阻增加尤为显著，随着反应的进行，当在硅碳棒表面形成致密的氧化膜以后，进入电阻稳定区，之后随着时间的增加，导电层逐渐减少，绝缘层逐渐增加，一般情况下当阻值达到初始阻值的约3倍时，硅碳棒出现严重的发热不均匀，此时必须更换硅碳棒。硅碳棒的物理特性如下表所示:表1-1硅碳棒的物理特性。

    硅碳棒的碳化硅含量在99%以上，其高温化学性质稳定。因此，它具有优良的耐腐蚀性和良好的抗氧化性。但是，高温环境下、水蒸汽、氢气、氮、硫、氯等气氛、熔融的碱、碱金属盐(KzC03, KC1, KOH, NaF)、熔融的Fe, Ni, C。以及一部分金属氧化物(CuO, PbO;等)都对其有不同程度的氧化和腐蚀作用，其反应的介质条件、反应情况及采取的措施如表1-2所示。