硅碳棒热阻率系数一般比错位型点缺陷的硅碳棒热阻率系数高;高温下点缺陷的硅碳棒热阻率系数一般比低温下点缺陷的硅碳棒热阻率系数高;s类型点缺陷(s空位和s间隙)引起的硅碳棒热阻率系数一般比c类型(c空位和c间隙)的硅碳棒热阻率系数高.这是因为在无机非金属中，热传导的主要载体是声子，即品格振动的能量量子.因此，热阻(z/a,z为热流方向材料长度)主要是由声子之间的相互作用和品体缺陷散射声子引起的国.空位或间隙引起了最大的质量差和半径差，这将导致更强的点缺陷一声子散射X33,3从而导致更高的硅碳棒热阻率系数.本文利用ElID方法(Green-Kubo公式)，研究了6种点缺陷(Si间隙原子(Sip).Si空位(Sir).Si错位原子(Sid).C间隙原子(CI).C空位(fir)和C错位原子(Cs))在不同浓度(点缺陷与格点比为0.2%-1.6%)下对立方碳化硅(3-硅碳棒或3C-硅碳棒)声子热导率的影响规律.研究发现热导率(入)随点缺陷浓度(c)的增加而减小.在研究的点缺陷浓度范围内，额外硅碳棒热阻率(即点缺陷引起的硅碳棒热阻率的增加值)与点缺陷的浓度呈线性关系，间隙原子构型取向使热传导行为呈现各向异性.以硅碳棒热阻率系数作为衡量点缺陷对材料硅碳棒热阻率(热导率)影响程度大小的影响因子，空位和间隙引起的硅碳棒热阻率系数高于错位原子的硅碳棒热阻率系数;高温下点缺陷的热阻率系数高于低温下点缺陷的硅碳棒热阻率系数;Si空位和Si间隙比C空位和C间隙引起更高硅碳棒热阻率系数.这些结果可为预测辐照条件下硅碳棒热导率以及调控硅碳棒热传导性能提供参考。www.zbqunqiang.cn