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硅碳棒品片预定使用的电场

2022-11-21 08:59:21     点击:

    铭体日标是结合硅碳棒的低Ron潜能,以及提供运作模式,k零件维持在经过充分研究LL安全的场氧化层条件下若要在导通情况下达成此日标,可采取离开高瑕疵密度平血表面的做法,朝向其他更有利的表面方向发展在所谓硅碳棒表面的MOS通道,可提供至少低1二10倍的瑕疵密度系数因此其种可能方法,就是使用沟槽(TRENCH)型结构,类似于许多现代的硅硅碳棒功率装。
    除低通道电阻以外,该结构的电池密度一般高于平面结构,能够更有效地利用材料1此外.这种做法也可以降低区域特定导通电组、不过在沟槽件中,沟槽角落氧化层的电场应力是关键问

题,特l是在硅碳棒领域,可能成为阻碍发展的争议一此硅碳棒品片预定使用的电场,是硅解决方案的吝日前有多种可能做法,可以有效屏蔽临界区域,例如深pn 7G件相对于DMOS在份通方面的两难困境,断态方的挑战藉由精巧设计加以解决。
    强大的硅碳棒开关,可提供深获肯定的坚固程度(类似硅元件),即使新技术往往伴随着新挑战,在硅碳棒功率电子应用的前景仍然一片光明,一开始必须付出更多努力,以最理想及址有效的方式善技术相关挑战包括加速切换产生的EMI问题,或足大幅提升硅碳棒功率密度的冷却问题其,后者)Ct难以避免,再加l品片缩小,无法由预期的降低损耗加以抵消为1.更快速深人掌握硅碳棒晶体技术,化解卜述的合理疑虑,才是有利做法L因此必须客户合作,尽肚简化新技术必要的任何设计及实作程序。
    新硅碳棒技术在原则几将成为满足需求益增的关键要素;以功率平淤体为草础的应用,也将因此提升功率密度及效率不过,末来儿年的币点并不是取代硅元件)宽带隙技术解决方案可相勺_搭配,特别是在可以开创新应用利从,日无法由现有技术解决的情况下。硅碳棒在此成为l:业功率应用的主要创新成果,目标为阻断电压l00 V功率额定值达到数百手瓦的元件,如ll;所示在市场成功导人硅碳棒二极体技术后,硅碳棒品体将成为下一个大步骤日前宽带隙材料预期可大幅提升效能为让市场快速接受.坚固程度及系统汁向产品功能将是关键要素。www.zbqunqiang.cn

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