碳化硅硅碳棒的生长过程是单晶生长过程，具体生长是反应原子在密排面上的紧密堆积过程，它包括纵向生长和横向生长，二者生长均需要一定能量。就户硅碳棒而言，在SiC晶核形成后，沿方向生长所需能量最少，即晶体沿此方向生长最易进行。当周围环境(温场)所提供的能量能满足此值而又不超过其所需能量的最大临界值时，晶核沿(l)单方向生长，生成完美的户硅碳棒;当周围环境所提供的能量超过此临界值时，晶核开始向几个方向生长，从而生成SiC颗粒或形成缺陷。温度就是反应这一能量值的宏观尺度，因此温度的波动是影响硅碳棒晶型变化的主要因素。此外，杂质对其也有很大影响，因为在生长着的硅碳棒面上集聚杂质后，能引起间歇性能量骚动、从而生成各种变体。研究表明，能在SiC中生成固溶体的硼和氮均有稳定户SiC晶型的效应。因此，选用硼作催化荆或适当导人氮气对生成户硅碳棒很有利。

    大量的资料表明CS，一种或另一种变体或它们的复合体的生成取决于温度和压力的联合作用，以及杂质含量和结晶过程的动力学参数。但目前对此还役有得出数量的概念，有必要进行更深人的探讨。硅碳棒的颇色在实验过程中，得到了白色、灰白色、浅绿色、灰绿色等多种颜色的硅碳棒，对影响硅碳棒颜色变化的因素作如下具体分析。

    SiC本身存在多种颜色，这主要是晶型变化引起的，不同晶型对应不同的颜色，但这里讨论的是以R-c为主晶型的硅碳棒的颜色变化。

    硅碳棒的颜色变化主要和杂质的存在有关。在富碳环境中生长的硅碳棒，例如，白炭黑和稻壳碳反应体系中，二者重量比1;3时.生成的硅碳棒一般呈灰绿色。这是因为在SiC.硅碳棒生长过程中，表面有碳沉积而形成的;气相反应生成的硅碳棒大多呈灰白色，这是气相反应生成较纯的硅碳棒;在稻壳原料中气一液一固(HIS)过程生长的5iC硅碳棒呈绿色或浅绿色，因为在VI另生长硅碳棒过程中，硅化剂的过饱和度较大，硅碳棒在富硅环境中生长的结果。此外，其它杂质对硅碳棒颜色也有较大影响，例如，翻、铅等离子的引人使硅碳棒呈黑色或棕色，氮等离子的引人则使硅碳棒表现为绿色C。我们实验中选用翻类化合物作催化荆，或中低温时选用氮气作保护气氛得到的硅碳棒的颜色呈现出上述结果。分析其原因，主要由于这些外在因素影响了硅碳棒生长过程中不同离子的沉积速度造成的。www.zbqunqiang.cn