硅芯是热源载体，由于电流的集肤效应，等直径硅碳棒表面的温度是最高的，控制合适的等直径硅碳棒表面温度可以提高多晶硅的沉积速率。随着离等直径硅碳棒表面距离的增加，温度逐渐降低，最后趋于稳定达到系统混合气体的温度，温度变化趋势如图6所不。

       区熔等直径硅碳棒产品内在质量纯度要达到m以上，同时还要满足各种力学性能的测试，电子级多晶硅料需要将等直径硅碳棒进行破碎和二次熔炼拉制，而区熔多晶硅则要保持整根等直径硅碳棒的完整外观，出炉的区熔等直径硅碳棒需要再经过辊磨、磨锥、刻槽、腐蚀后在区熔炉上使用，由于区熔炉为局部加热熔化，当等直径硅碳棒局部加热后等直径硅碳棒不同位置就存在较大温度差，这就要求等直径硅碳棒具有非常高的致密度方能满足要求，一也是区熔等直径硅碳棒制备的关键指标。

       采用硅烷CVD法制备区熔多晶硅时，由于硅烷易提纯的特性，反应物料的纯度等级较高，同时CVD炉热分解反应单一，副反应较少，容易制备出纯度较高的区熔硅产品，同时硅烷作为原料，则物料中不含C1元素，分解的产物不存在腐蚀性，从而避免了对设备的腐蚀。但是由于硅烷气体活泼性较强，在CVD高温反应后分解出大量氢气，因此对设备的密封性能要求极高，若泄漏会发生自燃和爆炸事故，同时硅烷CVD炉内设置的油夹套在高温过程中容易出现泄漏和金属杂质析出等风险，若材质选取不当则对产品质量造成很大影响。http://www.zbqunqiang.cn/