本文基于24对硅碳棒还原炉，建立三维还原炉内硅碳棒直流电加热模型。通过研究反应器中内、中、外环上硅碳棒半径和反应器壁发射率对硅碳棒内部温度分布的影响，得到以下结论:

       1)硅碳棒内部温度有一个明显的温度梯度，硅碳棒中心温度远高于表面温度。内环硅碳棒，辐射热损失在硅碳棒半径为3 cm时达到最大值;中环硅碳棒，其中心温度在半径为5 cm时达到最大;外环硅碳棒，其中心温度逐渐增大。

       2)当半径一定时，随着反应器壁发射率的增大，各环硅碳棒中心温度逐渐上升。内环硅碳棒，半径为3 cm时辐射率对硅碳棒中心温度的影响最大;中环硅碳棒，半径为S cm时影响最大;外环硅碳棒，硅碳棒半径最大时影响最大。

       3)辐射热损失越大，反应器壁的辐射率对硅碳棒内部温度的影响越强。对于外环硅碳棒，反应器壁辐射率对硅碳棒中心温度的影响最大，中环硅碳棒次之，内环硅碳棒最小。

       4)在生产过程中应对反应器壁及时进行清扫或磨光处理，以降低其辐射率，从而降低硅碳棒中心温度，使避免产生倒硅碳棒危险。http://www.zbqunqiang.cn/