在全氧燃烧电助熔硅碳棒窑炉中，通过氧化锡电极加热来熔化原料，而高温玻璃液又会造成氧化锡电极的侵蚀。如图1所示，随着氧化锡电极的侵蚀，电极间的间距L逐步增加，造成耗电量增加，会加剧氧化锡电极的侵蚀速度。为减缓电极侵蚀速度，确保硅碳棒窑炉内部电场稳定，需对电极进行推进补正。氧化锡电极总推进长度(L,-Ln)为其中:H为硅碳棒窑炉中玻璃液月拉引量，为硅碳棒窑炉中氧化锡的流出量，为硅碳棒窑炉中氧化锡的引人量，为硅碳棒窑炉中氧化锡的挥发量，为氧化锡电极的密度，为氧化锡电极插人硅碳棒窑炉的截面积。

       由于氧化锡电极的侵蚀速度受电极表面电流密度和温度的影响，且硅碳棒窑炉从投料口至硅碳棒窑炉出口的温度并不一致，因此在硅碳棒窑炉内部每个区域需要补正的电极长度也不相同。结合生产实际，在基板玻璃硅碳棒窑炉拆解后对各区域电极称重后，计算各对电极侵蚀速度如图2所示。投料口端温度低，玻璃液对流强度低，侵蚀速率最小。因此在后期硅碳棒窑炉冷修时，通过逐步提升内部的电极长度，延长硅碳棒窑炉的运行寿命。

       液晶基板玻璃生产过程中，喉管膨胀和铂金通道各法兰连接处材料的挥发对硅碳棒窑炉通道寿命影响较大。

       玻璃硅碳棒窑炉电极的选型，其耐热性、化学稳定性、机械强度、导电性能和热传导性能是评估电极材料性能的关键因素。合适的电极材料能够延长硅碳棒窑炉的使用寿命，提高生产效率，并减少维护和更换的成本。

       液晶基板玻璃硅碳棒窑炉氧化锡电极受侵蚀后，通常采用推进的方式进行减少电极砖间距，稳定熔制温度及温度梯度来稳定硅碳棒窑炉工艺，因此在后期硅碳棒窑炉冷修时，通过逐步提升内部的电极长度，可延长硅碳棒窑炉的运行寿命。http://www.zbqunqiang.cn/