化学性能:从化学性质讲，硅碳棒与其它电热元件比较，其优点主要是具有良好的化学稳定性，耐腐蚀性，它之所以具备这个独特的优点，这是因为硅碳棒在富氧的气氛中使用，从800℃开始生成SiOi玻璃层，1300℃时保护层开始结晶出石英。相变引起了开裂，从而氧化速度有所增加，到1500一1600℃时，SiOi保护层达到了一定的厚度，而当温度达到1627℃以上时，由于发生了反应:2Si0i+SiCSiOi+CO,以及SiOz的蒸发，使Si4l保护层受到破坏，因而碳化硅的氧化作用迅速进行，硅碳棒迅速损坏。因此，在1600℃以下，对硅碳棒来讲，SiOi保护层隔绝了SiC与富氧气体接触，从而大大减慢了氧化反应的进行。大家知道SiOi对相当多的介质都是一种化学稳定性很好的物质，这样SiOi层对硅碳棒就起到了保护作用，就使硅碳棒能在1500℃下长期使用(目前国内受窑炉技术、硅碳棒冷端技术等相关因素影响，一般限制的上限温度)，这种现象多少有些类似于室温下的金属铝。这两种材料有价值的工程性都在于氧化物保护膜的很高的化学稳定性。另外需要说明的一点是在硅碳·棒表面生成SiOz层过程中，棒体电阻也逐渐增加，这种现象称为硅碳棒的“老化”。

       硅碳棒的老化快慢是其寿命的体现，一般来讲，硅碳棒寿命终止是指在使用过程中其电阻值增长到初始值的四倍，通常说的硅碳棒能用多长时间就是指的这个概念，目前，我公司硅碳棒产品在富氧气中连续使用寿命约为粼X减)时。当然影响硅碳棒寿命的因素很多，其主要因素是使用温度的高低，连续和间隔使用，负荷密度的大小及负荷分配的均衡性，炉内气氛等。

       由于Sl保护层的作用，硅碳梓的杭酸能力很强，抗碱性较差，在高温下，易被熔融碱和碱金属硫酸盐侵蚀。因此，根据试验和实际经验总结，除硅碳棒在干燥空气中可使用1s℃外，在下列气氛中应降低使用温度，水蒸汽、氮气、氨气、硫磺气氛中应控制在1℃以下，在氢气、抓气气氛中，应控制在1℃以下。真空中Il℃以下。①硅碳棒电阻温度系数。硅碳棒的结构属于碳化硅高温半导体材料结构，它的电阻温度系数不同于金属导体，微量的杂质影响硅碳棒冷态电阻，使硅碳棒的电阻温度系数在0-800℃时呈负值(电阻值随硅碳棒发热温度升高而减少)。800℃以上电阻温度数呈正值(电阻值随硅碳棒发热沮度的升高而增大)。一般情况下，在1000}C、1500℃之间，电阻温度系数变化不是很大(约15%以内)，达到1627℃以后，电阻温度系数突然呈指数增长(也就是SiC迅速分解)。由于硅碳棒含有的杂质的品种不同，电阻温度系数呈正值的温度转变点也有差别，如国外的硅碳棒转变点大都为6阅℃左右。同时，硅碳棒的电阻温度特性曲线离散性很大，虽然都是上面所说的大趋势，但相同规格产品，其曲线都不完全吻合(特别是800℃以前)。http://www.zbqunqiang.cn/