将经过一次烧结的碳化硅半成品坯料，埋入二氧化硅和碳的混合粉未中，直接通电，在2000  ℃以上的高温中，碳化硅重新结晶，得到成品的硅碳棒电热元件，这一烧结过程叫二次烧结，也硅化。

       在二次烧结中，埋料二氧化硅和碳的混合粉末的作用，主要是高温时，在碳化硅半成品坯料周围形成还原性气氛，以防止坯料氧化和促进碳化硅晶体生长。

       在二次烧结中，希望碳化硅晶体在生长时，能尽量使晶粒长的大。因为碳化硅晶粒大，电阻增加率就小，表面系数也小，元件在使用时就不易氧化，寿命长，质量高。

       通常为了使晶粒长得大，总是在二次烧结时采用提高烧结温度，或者延长烧结时间的方法。这样的方法，可以使碳化硅坯料内部晶粒长得大些，但是，却使表面受到严重损害，不仅表面变得粗糙，而且使各部分电阻值变化较大，影响产品质量。这是因为，在高温时二氧化硅还原时所产生的硅分子(气相)与碳分子结合所生成的碳化硅，参加到碳化硅坯料表层正在生长中的碳化硅晶体中，使碳化硅晶粒畸形，以致坯料表面变得粗糙，严重时，甚至表层剥落。

       日本在二次烧结时采用了以碳化硅粉末为主(75%)的埋料来解决这一问题。

       它的原理很简单，在碳化硅坯料的周围用碳化硅粉末包起来，最外围是其它埋料。这样，在高温时，不仅形成了还原性气氛，而且使碳化硅坯料表面与新生成的碳化硅分子隔离开来，隔离物就是碳化硅埋料，新生成的碳化硅分子与碳化硅埋料起作用，而保护了里面的碳化硅坯料。这一工艺措施，简单易行，实用价值大。

       硅碳棒在使用时，由于与空气以及水蒸气的接触，高温时，极易氧化，使电阻值增大，产生老化现象，缩短寿命。日本采用了以钦酸盐涂料处理硅碳棒表面的方法，防止硅碳棒高温老化。

       具体方法是，把钦酸钡悬浮液，涂覆在硅碳棒表面，然后在高温下(1400℃ )，保温30分钟，使钦酸钡与碳化硅生成性能稳定的硅酸钦酸钡三元保护膜，即处理完毕。

       它的原理是，高温时，钦峻化合物可以扩散到碳化硅里层，使碳化硅分子表面全部覆盖，而且这种钦酸化合物与碳化硅之间结合紧密，高温时，有良好的物理、化学性能，因此，可以使碳化硅与周围气氛隔离，防止碳化硅高温氧化，而且钦酸化合物自身在高温时性能稳定，这种保护膜是较理想的。

       据实测，表面处理与不处理的电阻增加率如下表示:实验条件:炉内温度1400 ℃硅碳棒表面负荷15瓦/厘米“硅碳棒表面温度1500 ℃。http://www.zbqunqiang.cn/