随着生膜温度的升高，生成Sq的尺应进行得越快所以1600℃生膜比155U℃生膜的抗弯强度升得更快，而随着生膜时间的延长，U型硅碳棒体表面生成的Si味也逐渐增多，抗弯强度亦相应随着升高。但当吸均匀覆盖于产品表面.形成一层致密的氧化膜以后，这层膜阻止了q进人U型硅碳棒基体，这时，氧原子只能通过氧化膜向U型硅碳棒体缓慢扩散、抗弯强度就开始稳定下来，再延长生膜时已经没有意义:因此，应选择合适的生膜温度和时间，以利生产。

    从三种不同产品的生膜对比来看，用传统工艺生产的硅钥棒，由于其基体晶粒粗大、缺陷多，故抗弯强度低下、从而使得生膜的增强作用相对较明显。而引人第三相后，基体晶粒得到细化，特别是同时引人第三相及有机塑化剂以后，不但细化了基体晶粒，而且降低了基体的气孔率，提高了产品的致密度，相应地减少了U型硅碳棒体的表面缺陷，从而使得基体的抗弯强度明显提高，而妞膜的增强作用则相对较弱，但是，基体本身的抗弯强度越高，生膜后所能达到抗弯强度也越高。

    总之，通过合适的生膜工艺可以使U型硅碳棒的抗弯强度提高到较为理想的水平，这对提高国产U型硅碳棒的市场竟争力是相当有益的。