Q和Q:的大小主要与进料曲线和化学反应进程有关。根据实际情况，18对硅碳棒还原炉的多晶硅收率(对进料SiHCI.j)基本在10%左右，按多晶硅恒定生长速率的进料曲线FTC.s-23.109"Do氢气摩尔配比按4.0计。采用ASPENplus对Q和Q:进行计算，其流程SiHCI:和H的混合进气温度150℃，其中1000的气体流量先经E2加热并在RStioc反应器中转化成多晶硅，气相与另外90%的进料气(经E1预热)一起进入RUibbs反应器并达到气相平衡。E1和E2的换热量之和即Qz,RStoic和RUibbs的反应热之和即Q:。为在相应进料量情况下，不同硅硅碳棒直径所对应的QZ和Q。还原电源总功率P计算结果还原电源总功率P一Ql+QZ+Q:。根据前面的计算，P的结果如图803U-I曲线结果与讨论118对硅碳棒还原炉U-I曲线结果根据三相总功率P=3"U"I和电阻R=U/I,可得P"R=3"Uz,P/R=3"Iz。在不同硅碳棒直径时，单相硅碳棒负载的电压U和电流I变化。

       (1)电压U在整个多晶硅沉积过程中一直呈下降趋势。从初始2124V+lOmm)迅速降低1440V(20mm)，后随着硅碳棒直径增加，下降幅度减缓，最终降至334V(160mm)。

       (2)电流I在整个多晶硅沉积过程中一直呈上升趋势，与硅碳棒直径变化基本呈直线关系。在初始+lOmm)时电流I为64.6A，后随着硅碳棒直径增加，最终达到2603A(160mm)。

       (3)U-I曲线越高(在相同电流I下，电压U越高)，还原炉所消耗的功率P越大。U-I曲线本质上与时间是无关的，U-I曲线的形态和还原炉内几何结构，进料曲线，温度和黑度等因素有关。炉壁黑度。2对U-I曲线的影响多晶硅还原炉内壁表面抛光成镜面效果，可以提高其光洁度和光亮度，减小黑度，增加辐射率。但在多晶硅沉积过程中，存在微硅粉等在内壁粘附和气流冲刷等都会降低内壁的镜面级，使黑度增加。为不同炉壁黑度对U-I曲线的影响。可见，随着炉壁黑度降低，U-I曲线降低，能耗也随之降低。同时可见，启动电压也大幅度降低，硅碳棒直径最大时所对应的电流I和电压U均降低。文献比门通过对炉内壁进行抛光处理，还原电耗分别降低22.24%和12000。http://www.zbqunqiang.cn/