随着人们对硅碳棒材料认识的不断加深，制备硅碳棒单晶的技术也不断的发展。大多数半导体材料的单晶都能从熔体或者溶液中生长，例如，利用提拉法，可以得到半径很大，质量很高的si单晶。但是由于硅碳棒特殊的性质，使得如果采用上述两种方法，不仅需要极高的生长温度，同时也需要非常高的生长气压，对设备要求非常苛刻，也不安全。目前，人们大多利用升华法制备硅碳棒单晶。

    升华法生长硅碳棒单晶，是在1955年由Lely提出的。原始的Lely升华生长法具有制备的硅碳棒纯度高，生长状态容易控制等优点。生长装置主要由多孔石墨衬套组成的空腔和圆柱状的石墨增祸构成，在石墨增祸与多孔石墨衬套之间放有硅碳棒填料。首先，外部的石墨加热器将柑祸加热到2773 0C. 硅碳棒逐步升华，并通过多孔石墨进入内腔生长室。由于腔内具有一定的温度梯度，使得过饱和的硅碳棒在温度较低的内腔壁上冷凝并成核，生长出硅碳棒单晶。在生长过程中，由于晶体成核是随机的，无法得到控制，因此不仅硅碳棒晶片大小是随机的，而且在一维方向上有大量的堆垛层错。因而，在生长出的硅碳棒晶体内常常出现同素异构体，严重影响了结晶质量。www.zbqunqiang.cn（11p）