硅碳棒是第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs,InP,GaP等)之后发展起来的第三代宽禁带半导体材料。它具有化学秸定性好、介电常数小、抗辐射能力强，带隙宽、热导率高、饱和电子漂移速率高和临界击穿电场高等优点，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射器件等方面都具有巨大的应用潜力fU0本章首先对硅碳棒的结构和性质进行简单地介绍，再概述了硅碳棒晶须和硅碳棒薄膜的性能、应用、研究现状以及存在的问题，最后介绍本文的选题背景和主要的研究内容。硅碳棒的结构与性质硅碳棒是C和Si的唯一稳定化合物。由于天然的硅碳棒晶体在自然界中几乎不存在，所以很长时间以来硅碳棒材料一直默默无闻。到了1824年，Berzelius在进行人工合成金刚石的实验中，第一次观测到了硅碳棒的存在，硅碳棒才逐渐被人们所认识，但是天然的硅碳棒单晶极难发现，因此，当时人们对硅碳棒的研究停滞不前，而对硅碳棒的性质也几乎没有了解。随着研究的不断深入，到了1885年，Acheson采用焦碌混合物首次生长出硅碳棒晶体之后，人们才逐渐开始关注硅碳棒材料。然而，由于Si(的提纯是一项繁杂的工作，而且晶体的纯度也不可控制的，长期制约了硅碳棒的研究及应用。直到1955年，Lely发明了一种生长硅碳棒晶体的新方法，这种方法在一定程度上实现了对硅碳棒纯度和性质的控制，人们才逐渐开展了对硅碳棒性质和应几的研究。而到了二十世纪七十年代后期，苏联科学家Tairov和Tsvetkov发明了灌名的种子生长升华法，硅碳棒晶体的生长速率显著加快，并且使得生长大直径和长度的硅碳棒晶体成为了可能，才使硅碳棒研究和应用进入快速发展阶段。1981年，Matsunami发明了Si衬底上生长单晶硅碳棒的工业技术;1987年，有背景跳CreeResearch公司宣告成立，这是第一家以制造和销售硅碳棒单晶衬底为产品的么司，才使硅碳棒的研究工作进入了快速发展通道。www.zbqunqiang.cn