开展了硅碳棒薄膜的vl,s自组装外延生长研究生长硅碳棒微米柱的研究中发现，在高温下，大面积液滴有可能会在基片表面运动，从而导致硅碳棒微米柱的横向生长，形成了大面积的硅碳棒薄膜。因此，如果能在整个基片表面引入液相，则可以利用VLS机理生长薄膜。我们以液相Si作为催化剂，利用“两步法外延工艺，高温下同质外延生长6H-硅碳棒薄膜，在薄膜表面封闭微管的同时，抑制了表面台阶的形成，提高了表面平整度。开展了多孔硅碳棒薄膜缓冲层研究利用MTS作为反应气体，在Si基片上生长3C-硅碳棒薄膜，研究了生长温度、流量等反应条件对多孔硅碳棒薄膜生长的影响;在此基础上，为了释放Si基片与硅碳棒薄膜之间的应力，开展了以多孔硅碳棒作为缓冲层，在Si (100)基片上外延3C-硅碳棒薄膜的研究。硅碳棒薄膜的制备方法随着对硅碳棒薄膜研究的不断深入，硅碳棒薄膜制备技术也得到了长足的发展，就现阶段的研究现状而言，应用最广泛的生长方法是化学气相沉积法，本论文也采用化学气相沉积法制备硅碳棒薄膜。化学气相沉积的原理化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD法)是一种化学气相生长法，它是把含有构成生成物的一种或多种化合物或单质气体供给基片，以加热、等离子体、紫外光乃至激光等能源，借助气相作用和在基片表面的化学反应(热分解或化学合成)生成需要的物质。这里包含有两个重要因素:一是作为初始混合气体气相与基体固相界面的作用，也就是说各种初始气体之间通过在界面上的反应来产生沉积，或是通过气相的一个组分与基体表面之间的反应来产生沉积;二是沉积反应必须在一定的能量激活条件下进行。一般情况下发生气相沉积的化学反应必须有足够高的温度作为激活条件。在有些情况下，可以来用等离子体或激光辅助作为激活条件，降低沉积反应的温度。www.zbqunqiang.cn  （p20）