图3-13是不同温度下制备的硅碳棒晶须的扫描电子显微镜(SEM)照片.在生长过程中，HZ流量保持为SOOsccm-CZHZ和SiH4的流量分别是2.Ssccm和Ssccm.生长时间为20分钟，温度为1050 ℃-1350 ℃，反应室气压控制为Torr，催化剂厚度为800 nm a从图中可以看出，生长温度对样品表面形貌影响很大。在生长温度为1050℃时，晶须的平均直径小于0.1 wm，如图3-13 (a)所示;当生长温度升高时，晶须直径不断增大，当生长温度为1250 ℃时，生长出了微米量级的硅碳棒晶须，如图:3-13 (b)所示，并且随着温度的增加，生成硅碳棒晶须的密度不断减小.当生长温度达到1300 ℃时，在样品表面没有发现晶须的存在，取而代之的是微米量级的致密颗粒，如图3-13 (c)所示。采用EDS分析这些颗粒，表明CSi和Ni的原子百分含量分别为41.03%, 46.08%和12.89%。因此，在1300 ℃条件下，生长出硅碳棒薄膜。

    生长温度越高，意味着基片表面的能量越大，从而使得Ni-Si合金小液滴具有非常高的活性。在高温下，多个Ni-Si小液滴会在基片表面运动，逐步结合成体积较大的Ni-Si小液滴，而催化剂的直径大小直接影响硅碳棒晶须的尺寸.因此，随着温度的升高，硅碳棒晶须的直径不断变大，如图3-13 (a)和((b)所示。而当温度升高到一定程度时，CzHz和SiH4的分解得到的C和Si原子，更容易形成硅碳棒分子，沉积在Ni-Si合金小液滴表面，而不是以溶质的形式进入Ni-Si合金小液滴，而Si, C在硅碳棒中的扩散很小，从而抑制了VLS机制的发生，最后在Si基片表面形成硅碳棒颗粒。www.zbqunqiang.cn