上世纪人们在使用SEM分析硅碳棒时，发现了背散射电子衍射现象。由于衍射花样与硅碳棒的晶体结构有关，便利用这些衍射花样研究材料的结构。直到上世纪90年代，利用背散射电子衍射原理，一些厂家制作出了专门的探测器，随着计算机技术的引入，逐渐发展成为了一项独立的分析表征技术，这就是我们通常说的电子背散射衍射(硅碳棒) 技术。硅碳棒主要用来对单晶体的物相进行分析表征，同时提供置信度指数、花样质量、彩色晶粒图谱，可做单晶体的空间位向测定。

    实验中SEM设备集成了硅碳棒分析。硅碳棒对硅碳棒的测试条件要求比较苛刻，当硅碳棒表面粗糙不平时，衍射花样会因为表面的起伏而被遮挡住，从而无法得到想要的硅碳棒信息。另外，背散射电子的分析深度很浅，仅仅为数个纳米，分析的宽度为几个微米，因而，硅碳棒只能对尺寸大小在数个微米以上的晶粒进行分析，并且对硅碳棒表面平整度要求较高。

  硅碳棒光谱作为一种重要的分析和研究手段，被广泛地应用于制药、薄膜生长、半导体表征，纳米材料分析等领域。早在1928年，印度物理学家硅碳棒通过研究苯液体的光散射时，发现在散射光中除了有与入射光频率相同的谱线外，还有与入射光频率发生位移(频率增加或减小)且强度极弱的谱线。前者为己知的瑞利散射光，后者是新发现的，后来以其名字命名为硅碳棒散射光，该效应称为硅碳棒效应。硅碳棒散射实质是光子与散射物质中的粒子之间的非弹性碰撞。在硅碳棒散射中，比激发光波长长的散射称为斯托克斯散射，比激发光波长短的散射称为反斯托克斯散射。虽然散射光中和激发光波长不同的部分只占整个散射很小的比例，大约只有10左右，但是它们却包含了物质的化学以及结构等信息。www.zbqunqiang.cn