在硅碳棒挤出成型工艺中，颗粒的堆积是一种大颗粒对塑性填充料的替换，塑性填充料(细颗粒和塑化液)所占体积都要被看成是填充颗粒体积，填充料不仅对大颗粒之间的孔隙进行填充，还要将大颗粒之间彼此隔开来降低硅碳棒挤出时的摩擦阻力。本实验中当塑性填充料所占体积为40%时，坯体成型密度最高。硅碳棒的烧成在碳化硅重结晶烧结过程中，尽管存在着明显的颈部生长过程，但不产生收缩。研究者曾提出了蒸发一凝聚机制的烧结模型。由于碳化硅分子只能产生少量的气相分子，因此这里的蒸发并不是简单的碳化硅气化，而是在二氧化硅存在时碳化硅的分解。通常碳化硅晶粒上覆着二氧化硅薄层，该氧化层在高温下发生如下反应:

    在反应中，左侧全是固态物质而右侧则全是气态物质，即从左往右的正向反应可理解为蒸发(升华)，从右往左的逆反应可理解为凝聚(凝华)。蒸发凝聚机制的驱动力是与表面曲率有关的蒸汽压，颗粒表面外凸时其蒸汽压一般比较高。颗粒越细、曲率越外凸，那么颗粒表面的蒸汽压也越高。在两个颗粒的接触范围呈现凹形弯曲，而大颗粒之间的接触处由于曲率半径较大因而蒸汽压最低。在高低气压区域之间不断发生气相迁移，其中凸起区域是气相迁移源而凹面区域是气相迁移沉积处，在此过程中完成了硅碳棒的重结晶烧结。

    因此，在重结晶硅碳棒的颗粒级配中，一般要加入30%的细颗粒使其满足烧结需要。图(3-18)为细粉为7m时2350℃重结晶烧结后的扫描图片，从图中看出，7m的细粉完全蒸发了，大颗粒由原来的凸凹不平变的平整，原先尖锐的棱角变的圆滑。

    由于实验中选用的碳化硅为片状晶，片状晶上突起和棱角曲率都很外凸，因此这些部位在烧结时和细颗粒一样也会优先蒸发，实验中综合考虑到成型密度和烧结需要，最后将细粉粒径定在Sum，含量为250/0 2350℃重结晶烧结后SEM图片如3-19所示，制品粗颗粒之间都得到良好的结合。www.zbqunqiang.cn