硅碳棒氧化后产生的Siq会在一定温度条件(1200℃)下转换为方石英相，而方石英在冷热交替使用过程中，由于方石英相低温时较大的收缩，在氧化膜中形成较大的拉应力，以致氧化膜开裂，又裸露出新的硅碳棒表面，表面裂纹的出现为氧的渗透提供了通道，使材料的氧化动力学曲线偏离抛物线规律长期氧化会使硅碳棒电热元件的电阻逐渐增加直至失效，因此有必要研究材料显微结构与的钝性氧化之间的联系，使制品的氧化尽量减缓。显气孔率的影响实验中通过调节泥料的含水率制备出具有相同颗粒级配不同密度(即气孔率)的硅碳棒电热陶瓷材料进行13500长时间氧化试验，其数据如表4-3、图4一所示。图4-5不同气孔率的硅碳棒热端硅碳棒试样于1350℃下的抗氧化性能图4-5为硅碳棒电热元件在13500C氧化过程中，氧化质量增加d m/原始质量m与氧化时间t的关系。由于硅碳棒电热材料为多孔陶瓷，硅碳棒试样表面积并不代表氧化时的真实表面积，因此选用单位质量增加d mlm，而不是用单位面积(s)质量增加(d m/s)来表示陶瓷在氧化过程中的质量变化。从图4一的氧化增重数据可以看出，A, B硅碳棒试样的氧化增重基本符合硅碳棒钝性氧化的线性一抛物线曲线规律，在1350℃下随着氧化时间的延长，硅碳棒表面形成较为厚密的Si02膜，从而使氧化减缓，当氧化时间超过200小时后，硅碳棒样品增重己经不是很明显。与硅碳棒试样A相比硅碳棒试样B具有较低的显气孔率，相应地减少了硅碳棒与氧气之间的反应界面，使沿硅碳棒粒子界面氧化的程度降低从而提高了抗氧化能力。www.zbqunqiang.cn