颗粒间结合状态的影响如下表3一2所显示，这两种235a0c重结品烧结的硅碳棒电热制钻其密度都是2.43沙m3，但是其电阻有较大的差异，A为0.8iB为3.6f。图4-3硅碳棒电热元件颗粒结合较差时SEM图B试样它们电阻的差异来自于硅碳棒颗粒之间的结合状态，图C4-2)A试样颗粒之间结合部位的烧结颈部较粗，颗粒之间基本连成一片;B试样由于级配中含有15%的10um硅碳棒颗粒，在重结晶烧结时，10m的颗粒并没有大量蒸发，反而使很多1.2m的细粉就近蒸发凝聚到l0um颗粒之间，使得硅碳棒烧结后800m的颗粒之间存在大量粒径在30um左右的颗粒，如图4-3所示。大颗粒之间没有直接接触上，中间有大量的较小颗粒，这些小颗粒之间形成了大量的小烧结颈，有些小颗粒甚至成为“孤枝”，当电流通过时，电流将在小颗粒之间绕行，较细的烧结颈和电流的绕行都会使电阻增大，如图4-4所示。由于10m左右细粉在2350℃较难蒸发，并且消耗了部分参与蒸发凝聚的细粉，因此要让细粉足够细，中粗粉足够粗，烧结后的颗粒之间才能得到较好的结合。材料显微结构对抗氧化性能的影响sic与仇的反应主要有以下两种:SiC(s)+30Z(g)=Si0(g)+CO(g)(4-2)2SiC(s)+302(g)=2Si02(s)十2C0(g)(4-3)硅碳棒陶瓷材料的氧化通常分为活性氧化(activeOxidation)和钝性氧化(PassiveOxidation)。在活性氧化中，氧气分压较低，氧化反应生成挥发性产物，如(4-2)式，这样氧化反应会持续快速的进行，料结构迅速被破坏，性能急剧降低，表现出氧化减重的特征。认为活性氧化的速率控制机理是:氧气通过气体边缘层的扩散。而在高<9002000C)干燥、氧分压较高的环境中，硅碳棒材料表面因氧化形成一层薄而且致密的Si02膜，反应如式(4-3).氧在Siq中的扩散速率低，因此硅碳棒材料具有良好的抗氧化性能，在这种条件下硅碳棒的氧化称为钝性氧化或被动氧化。www.zbqunqiang.cn