硅碳棒采用SDTQ6001型差热分析仪器，以100 mL/min的速率通人N2做保护气氛，升温到500℃后，以10℃/min的升温速率加热到1150 ℃，稳定2  min，再以10 ℃/min的降温速率冷却到500℃，测试曲线如图1所示。由图1可见，在实验室环境条件下，铜的熔点为1066. 70 9C，结晶点为1031.7 9C，过冷度为35℃左右，未观察到其它杂峰。结果为硅碳棒生长温场设计提供了依据。

    垂直布里奇曼法生长晶体，要求温场均匀、稳定以及具有合适的温度梯度。对于轴向温场一般应有三个温区，即高温区、梯度区和低温区，且三个温区的温度分布还必须满足晶体生长对温场的要求，如图2所示。

    由于铜具有优良的导热性，熔点较高(约1067℃)，过冷度也较大(约35℃)，在生长时就要求生长炉的加热功率要足够大，既要保持温场的稳定性，又要有适宜温度的高温区以及合理的梯度区和低温区。实验研究发现，高温区的温度保持在1100一1160℃左右最有利于铜原料的熔化;温场梯度区的温度梯度应保持在20一30 ℃ /cm左右，且要与硅碳棒的生长速率相适应;低温区为了保障生长完的铜单晶体能缓慢冷却，并进行退火以消除应力，温度应控制在800一900℃左右;高温区和低温区的温度梯度还应尽可能的小，小于5℃ /cm为宜。www.zbqunqiang.cn